رسالة جامعية
Flexible organic thin film transistor with benzimidazole-copper complex gate insulators
| العنوان: | Flexible organic thin film transistor with benzimidazole-copper complex gate insulators |
|---|---|
| العنوان البديل: | 苯並咪唑-銅錯合物為閘極絕緣層之可撓性有機薄膜電晶體 |
| المؤلفون: | Chen, Sheng-Wei, 陳盛煒 |
| مرشدي الرسالة: | Hwang, J., 黃振昌 |
| سنة النشر: | 2010 |
| المجموعة: | National Digital Library of Theses and Dissertations in Taiwan |
| الوصف: | 98 本篇論文係研發苯並咪唑-銅錯合物作為可撓性有機薄膜電晶體之閘極絕緣層。具有自我成膜特性的2-正庚基苯並咪唑-銅錯合物，成功的成長在鍍銅的可撓性塑膠基板(聚對苯二甲酸乙二酯)上，並作為五苯環有機薄膜電晶體之閘極絕緣層。有機電晶體以苯並咪唑-銅錯合物作為銅閘極絕緣層，其閘極絕緣層之製作具有自我成膜、溶水液製程、選擇性沈積等特色。以銅作為閘電極，並將水溶液製程所製作之苯並咪唑-銅錯合物作為閘極絕緣層的概念，提供一個在軟性塑膠基板上，製作低成本有機薄膜電晶體的方式。苯並咪唑-銅錯合物閘極絕緣層之有機電晶體其元件特性合乎電晶體應有的特徵。電晶體元件的臨界電壓、載子移動率、開關比和次臨界擺幅分別為~-4.2 V, ~0.08 cm2V-1s-1, ~4x103 and ~4.4 V/decade。 為了提升苯並咪唑-銅錯合物閘極絕緣層有機薄膜電晶體之元件特性，本論文研發出一具雙層薄膜結構之苯並咪唑-銅錯合物閘極絕緣層。雙層苯並咪唑-銅錯合物薄膜結構之是由2-正庚基苯並咪唑-銅和2-萘甲基苯並咪唑-銅錯合物所建構成。有機電晶體以雙層苯並咪唑-銅錯合物薄膜作為銅閘極絕緣層，其閘極絕緣層製作仍保有自我成膜、溶水液製程、選擇性沈積、時間短等特色。與2-正戊基苯並咪唑-銅錯合物閘極絕緣層(單一層薄膜結構)之有機薄膜電晶體比較，具雙層薄膜結構閘極絕緣層之電晶體有較好的元件性能。電晶體元件的載子移動率、開關比和次臨界擺幅分別為~0.21 cm2 V-1s-1, ~1.2x104 and~1.3 V/decade。 本論文也提供一改善有機薄電膜晶閘極漏電的方法。此方法係以改變苯並咪唑-銅錯合物中烷基鏈的長度來改善漏電。三種具不同烷基鏈長度的2-烷基苯並咪唑合物被選來作比較，它們分別為2-正戊基、2-正庚基和2-正壬基苯並咪唑。與2-正庚基苯並咪唑-銅錯合物閘極絕緣層作比較，有機電晶體以2-正壬基苯並咪唑-銅作為閘極絕緣層，其元件之閘極漏電可以有1000倍的改善。藉由X-ray繞射分析,閘極漏電的改善可歸因於在表面垂直方面有較大的d-spacing。 |
| Original Identifier: | 098NTHU5159083 |
| نوع الوثيقة: | 學位論文 ; thesis |
| وصف الملف: | 133 |
| الإتاحة: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/19283170863151233281Test |
| رقم الانضمام: | edsndl.TW.098NTHU5159083 |
| قاعدة البيانات: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| الوصف غير متاح. |