دورية أكاديمية
First-principle calculations for the kinetics of As_2 molecule during homoepitaxial growth on GaAs(001) surface
| العنوان: | First-principle calculations for the kinetics of As_2 molecule during homoepitaxial growth on GaAs(001) surface / GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III |
|---|---|
| المؤلفون: | A. Ishii, K. Seino, T. Aisaka, 制野 かおり, 石井 晃, 逢坂 豪 |
| المصدر: | 日本結晶成長学会誌 / Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2000, 27(1):147 |
| قاعدة البيانات: | J-STAGE |
| تدمد: | 03856275 21878366 |
|---|---|
| DOI: | 10.19009/jjacg.27.1_147 |