التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures |
| المؤلفون: |
Feng, YX, Liu, GP, Yang, SY, Wei, HY, Liu, XL, Zhu, QS, Wang, ZG |
| سنة النشر: |
2014 |
| المجموعة: |
Institute of Semiconductors: SEMI OpenIR (Chinese Academy of Sciences) / 中国科学院半导体研究所机构知识库 |
| مصطلحات موضوعية: |
半导体材料 |
| نوع الوثيقة: |
report |
| اللغة: |
English |
| العلاقة: |
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY; Feng, YX; Liu, GP; Yang, SY; Wei, HY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG. Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures .SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2014,29(4):045015; http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26376Test |
| الإتاحة: |
http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26376Test |
| رقم الانضمام: |
edsbas.FD4F801F |
| قاعدة البيانات: |
BASE |
