مؤتمر
Fundamental understanding and optimization of PBTI in nFETs with SiO2/HfO2 gate stack
| العنوان: | Fundamental understanding and optimization of PBTI in nFETs with SiO2/HfO2 gate stack |
|---|---|
| المؤلفون: | Cartier, E., Linder, B. P., Narayanan, V., Paruchuri, V. K. |
| المصدر: | 2006 International Electron Devices Meeting |
| بيانات النشر: | IEEE |
| سنة النشر: | 2006 |
| نوع الوثيقة: | conference object |
| اللغة: | unknown |
| DOI: | 10.1109/iedm.2006.346773 |
| الإتاحة: | https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346773Test http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4154162/4139311/04154192.pdf?arnumber=4154192Test |
| رقم الانضمام: | edsbas.E70581A4 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1109/iedm.2006.346773 |
|---|