دورية أكاديمية

Hydrostatic pressure dependence of indirect and direct excitons in InGaN/GaN quantum wells

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Hydrostatic pressure dependence of indirect and direct excitons in InGaN/GaN quantum wells
المؤلفون: Staszczak, G., Trzeciakowski, W., Monroy, E., Bercha, A., Muzioł, G., Skierbiszewski, C., Perlin, P., Suski, T.
المصدر: Physical Review B ; volume 101, issue 8 ; ISSN 2469-9950 2469-9969
بيانات النشر: American Physical Society (APS)
سنة النشر: 2020
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1103/physrevb.101.085306
DOI: 10.1103/PhysRevB.101.085306
DOI: 10.1103/PhysRevB.101.085306/fulltext
الإتاحة: https://doi.org/10.1103/physrevb.101.085306Test
حقوق: https://link.aps.org/licenses/aps-default-licenseTest
رقم الانضمام: edsbas.3733EBD7
قاعدة البيانات: BASE