دورية أكاديمية

Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition
المؤلفون: Chesnokov, Yu. M., Miakonkikh, A. V., Rogozhin, A. E., Rudenko, K. V., Vasiliev, A. L.
المصدر: Journal of Materials Science ; volume 53, issue 10, page 7214-7223 ; ISSN 0022-2461 1573-4803
بيانات النشر: Springer Science and Business Media LLC
سنة النشر: 2018
مصطلحات موضوعية: Mechanical Engineering, Mechanics of Materials, General Materials Science
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5
DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5/fulltext.html
DOI: 10.1007/s10853-018-2099-5.pdf
الإتاحة: https://doi.org/10.1007/s10853-018-2099-5Test
حقوق: http://www.springer.com/tdmTest
رقم الانضمام: edsbas.31BC423A
قاعدة البيانات: BASE