مؤتمر
Base de données publique des caractéristiques des diodes de puissance à température cryogénique
| العنوان: | Base de données publique des caractéristiques des diodes de puissance à température cryogénique |
|---|---|
| المؤلفون: | Baazizi, Yasmine, Haas Bezerra, Ana Luiza, Ferreira, Lauro, Meunier, Simon, Phulpin, Tanguy, Quéval, Loïc |
| المساهمون: | Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), CentraleSupélec-Sorbonne Université (SU)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| المصدر: | Conférence des jeunes chercheurs en génie électrique ; https://hal.science/hal-04620665Test ; Conférence des jeunes chercheurs en génie électrique, Jun 2024, Le Croisic, France |
| بيانات النشر: | HAL CCSD |
| سنة النشر: | 2024 |
| مصطلحات موضوعية: | Base de données, Électronique de puissance, Cryogénie, Redresseur à diodes, [SPI]Engineering Sciences [physics] |
| جغرافية الموضوع: | Le Croisic, France |
| الوصف: | International audience ; The design of power electronic converters at cryogenic temperatures requires technical data on the components at these temperatures. However, the lack of data on electrical characteristics, such as those of diodes, outside the temperature range specified by the manufacturer(e.g. -50°C), hinders their development. We have launched a project based on our 4.8 kA DC measurement platform to establish a database of diode characteristics at cryogenic temperatures. This database, which will be made public, allows users to download data files at different temperatures. Although some aspects may be discussed and added later, this document is a contribution to the definition of the current database scope and to the presentation of the experimental methodology used. It also highlights the practical utility of the data through a case study. ; La conception de convertisseurs électroniques de puissance à des températures cryogéniques nécessite des données techniques sur les composants à ces températures-là. Cependant, le manque de données sur les caractéristiques électrique, tel que par exemple pour des diodes, en dehors de la plage de température spécifiée par le fabricant (p. ex. -50°C) limite leur développement. Nous avons lancé une initiative basée sur notre plateforme de mesure de 4,8 kA DC afin de créer une base de données sur les caractéristiques des diodes à des températures cryogéniques. Cette base de données, qui sera rendu publique, permet aux utilisateurs de télécharger des fichiers de données à différentes températures. Bien que certains aspects puissent être discutés et ajoutés ultérieurement, ce document est une contribution importante à la définition du cadre de la base de données actuelle et à la présentation de la méthodologie expérimentale utilisée. Il met également en évidence l'utilité pratique des données par le biais d'une étude de cas. |
| نوع الوثيقة: | conference object |
| اللغة: | French |
| العلاقة: | hal-04620665; https://hal.science/hal-04620665Test; https://hal.science/hal-04620665/documentTest; https://hal.science/hal-04620665/file/Manuscript_JCGE_BAAZIZI_20240302.pdfTest |
| الإتاحة: | https://hal.science/hal-04620665Test https://hal.science/hal-04620665/documentTest https://hal.science/hal-04620665/file/Manuscript_JCGE_BAAZIZI_20240302.pdfTest |
| حقوق: | info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.25093B7A |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |