GaN HEMTでの二次元電子ガスキャリヤ濃度と ゲートドレイン間リーク電流理論計算
| العنوان: | GaN HEMTでの二次元電子ガスキャリヤ濃度と ゲートドレイン間リーク電流理論計算 |
|---|---|
| المؤلفون: | MIYAMOTO, YASUYUKI, Gotow, Takahiro |
| المصدر: | 電気学会論文誌C. 142(No. 3):348-353 |
| بيانات النشر: | 電気学会, 2022. |
| سنة النشر: | 2022 |
| اللغة: | Japanese |
| الوصول الحر: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::0a26d9b5a0a82d683aeebc22814bbedcTest http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100875016Test |
| رقم الانضمام: | edsair.jairo.........0a26d9b5a0a82d683aeebc22814bbedc |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| الوصف غير متاح. |