The Photonic Atom Probe as a Tool for the Analysis of the Effect of Defects on the Luminescence of Nitride Quantum Structures
| العنوان: | The Photonic Atom Probe as a Tool for the Analysis of the Effect of Defects on the Luminescence of Nitride Quantum Structures |
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| المؤلفون: | Ioanna Dimkou, Jonathan Houard, Névine Rochat, Pradip Dalapati, Enrico Di Russo, David Cooper, Adeline Grenier, Eva Monroy, Lorenzo Rigutti |
| المساهمون: | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département Plate-Forme Technologique (DPFT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), ANR-19-CE08-0025,INMoSt,Cellules solaires multi-jonctions multi-fils à base de nano-pyramides d'InGaN(2019), ANR-21-CE50-0016,ASCESE-3D,Microscopie Corrélative 3D à l'Echelle Atomique et Simulation Electronique d'Emetteurs de Lumière(2021) |
| المصدر: | Microscopy and Microanalysis Microscopy and Microanalysis, 2023, ⟨10.1093/micmic/ozac051⟩ |
| بيانات النشر: | Oxford University Press (OUP), 2023. |
| سنة النشر: | 2023 |
| مصطلحات موضوعية: | [PHYS]Physics [physics], [SPI]Engineering Sciences [physics], cathodoluminescence, correlative microscopy, inGaN, laser-assisted atom probe tomography, luminescence, photoluminescence, point defects, quantum dots, luminescence, point defects, cathodoluminescence, photoluminescence, quantum dots, correlative microscopy, laser-assisted atom probe tomography, Instrumentation, inGaN |
| الوصف: | By collecting simultaneously optical and chemical/morphological data from nanoscale volumes, the Photonic Atom Probe (PAP) can be applied not only to the study of the relationship between optical and structural properties of quantum emitter but also to evaluate the influence of other factors, such as the presence of point defects, on the photoluminescence. Through the analysis of multiple layers of InGaN/GaN quantum dots (QDs), grown so that the density of structural defects is higher with increasing distance from the substrate, we establish that the light emission is higher in the regions exhibiting a higher presence of structural defects. While the presence of intrinsic point defects with non-radiative recombination properties remains elusive, our result is consistent with the fact that QD layers closer to the substrate behave as traps for non-radiative point defects. This result demonstrates the potential of the PAP as a technique for the study of the optical properties of defects in semiconductors. |
| تدمد: | 1435-8115 1431-9276 |
| الوصول الحر: | https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d4bcdf6c9d766d17b98d466363dcd036Test https://doi.org/10.1093/micmic/ozac051Test |
| حقوق: | CLOSED |
| رقم الانضمام: | edsair.doi.dedup.....d4bcdf6c9d766d17b98d466363dcd036 |
| قاعدة البيانات: | OpenAIRE |
| تدمد: | 14358115 14319276 |
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