المؤلفون: Enrique Maset, Pedro Martín-Holgado, Yolanda Morilla, David Gilabert, Esteban Sanchis-Kilders, Pedro J. Martínez

المصدر: Applied Sciences, Vol 12, Iss 22, p 11578 (2022)

مصطلحات موضوعية: high-electron-mobility transistor (HEMT), gallium nitride (GaN), radiation hardness, assurance testing, radiation effects, total ionising dose (TID), Technology, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Biology (General), QH301-705.5, Physics, QC1-999, Chemistry, QD1-999

وصف الملف: electronic resource

العلاقة: https://www.mdpi.com/2076-3417/12/22/11578Test; https://doaj.org/toc/2076-3417Test

الوصول الحر: https://doaj.org/article/0dea0a0552d04ac4a16f15a3959d7987Test

المؤلفون: Maset, Enrique, Martín Holgado, Pedro, Morilla, Yolanda, Gilabert, David, Sanchis-Kilders, Esteban, Martínez, Pedro J.

المساهمون: Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades (España), European Commission, Agencia Estatal de Investigación (España)

مصطلحات موضوعية: High-electron-mobility transistor (HEMT), Total ionising dose (TID), Radiation hardness, Radiation effects, Assurance testing, Gallium nitride (GaN)

وصف الملف: application/pdf

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الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app122211578Test
https://doi.org/10.13039/501100011033Test
https://doi.org/10.13039/501100000780Test
http://hdl.handle.net/10261/287727Test

مصطلحات الفهرس: 537, Total ionising dose (TID), Electrónica (Física), Radiactividad, journal article

URL: https://hdl.handle.net/20.500.14352/44474Test
http://www.sciencedirect.comTest
FPA2002-00912
K476/LHC

مصطلحات الفهرس: High-electron-mobility transistor (HEMT), Total ionising dose (TID), Radiation hardness, Radiation effects, Assurance testing, Gallium nitride (GaN), artículo

URL: http://hdl.handle.net/10261/287727Test
https://doi.org/10.3390/app122211578Test
Applied Sciences
Publisher's version
https://doi.org/10.3390/app122211578Test
Sí
info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/RTI2018-099009-B-C22/ES/EVALUACION DE LOS COMPONENTES COTS EEE DE ALTAS PRESTACIONES PARA LA EXPLORACION DEL ESPACIO PROFUNDO