المؤلفون: Buffolo, M., Favero, D., Marcuzzi, A., Santi, Carlo De, Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

المساهمون: Buffolo, M., Favero, D., Marcuzzi, A., Santi, Carlo De, Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M.

مصطلحات موضوعية: Gallium nitride, Gallium nitride (GaN), HEMT, MODFET, MOSFET, perspective, power electronic, reliability, Silicon, Silicon carbide, silicon carbide (SiC), Transistor, trapping

العلاقة: firstpage:1; lastpage:12; journal:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES; https://hdl.handle.net/11577/3504355Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85182359095

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2023.3346369Test
https://hdl.handle.net/11577/3504355Test

المؤلفون: Zagni, Nicolo', Zhan, Veronica Gao, Verzellesi, Giovanni, Chini, Alessandro, Pantellini, Alessio, Natali, Marco, Lucibello, Andrea, Latessa, Luca, Lanzieri, Claudio, Santi, Carlo De, Meneghini, Matteo, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico

المساهمون: Zagni, Nicolo', Zhan, Veronica Gao, Verzellesi, Giovanni, Chini, Alessandro, Pantellini, Alessio, Natali, Marco, Lucibello, Andrea, Latessa, Luca, Lanzieri, Claudio, Santi, Carlo De, Meneghini, Matteo, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico

مصطلحات موضوعية: Carbon Doping, Degradation, Electron trap, GaN HEMT, HEMT, Hot Electron, Logic gate, MODFET, Reliability, Step Stre, Stre, Wide band gap semiconductor

العلاقة: volume:23; firstpage:453; lastpage:460; journal:IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY; https://hdl.handle.net/11380/1313186Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85168261146

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TDMR.2023.3305033Test
https://hdl.handle.net/11380/1313186Test

المؤلفون: Zhu Z., Bosi G., Raffo A., Crupi G., Cai J.

المساهمون: Zhu, Z., Bosi, G., Raffo, A., Crupi, G., Cai, J.

مصطلحات موضوعية: Analytical model, Behavioral science, Data model, GaN HEMT, GRU, kink effect, Logic gate, machine learning method, MODFET, Numerical model, scattering parameter measurement, semiconductor device modeling, temperature, Training

العلاقة: volume:12; firstpage:201; lastpage:210; numberofpages:10; journal:IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY; https://hdl.handle.net/11570/3290908Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85187283685

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/JEDS.2024.3364809Test
https://hdl.handle.net/11570/3290908Test

المؤلفون: Calvo-Gallego, Jaime, Delgado-Notario, Juan A., Velázquez-Pérez, Jesús E., Ferrando Bataller, Miguel, Fobelets, Kristel, El Moussaouy, Abdelaziz, Meziani, Yahya M.

المساهمون: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions, Generalitat Valenciana, Universidad de Salamanca, Junta de Castilla y León, AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACION, Agencia Estatal de Investigación, European Regional Development Fund, Ministerio de Ciencia e Innovación

مصطلحات موضوعية: Terahertz, SiGe, Silicon, Strained-Si, MODFET, Electromagnetic simulation, TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES

العلاقة: Sensors; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019-107885GB-C32/ES/ANTENAS X-WAVE MULTIMODO Y MULTIHAZ RECONFIGURABLES PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES Y SENSORES/; info:eu-repo/grantAgreement/JCYL//SA121P20/; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/RTI2018-097180-B-I00/ES/NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ/; info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//TEC2016-78028-C3-3-P//Diseño de antenas multihaz de alta ganancia para los sistemas de comunicaciones de nueva generación/; info:eu-repo/grantAgreement/AEI//RTI2018-097180-B-I00//NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ/; info:eu-repo/grantAgreement/JCYL//SA256P18/; info:eu-repo/grantAgreement/GVA//AICO%2F2019%2F018/; https://doi.org/10.3390/s21030688Test; http://hdl.handle.net/10251/183530Test; urn:eissn:1424-8220; PMC7864021

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/s21030688Test
http://hdl.handle.net/10251/183530Test

المؤلفون: Jaime Calvo-Gallego, Juan A. Delgado-Notario, Jesús E. Velázquez-Pérez, Miguel Ferrando-Bataller, Kristel Fobelets, Abdelaziz El Moussaouy, Yahya M. Meziani

المصدر: Sensors; Volume 21; Issue 3; Pages: 688

مصطلحات موضوعية: terahertz, SiGe, silicon, strained-Si, MODFET, electromagnetic simulation

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: Physical Sensors; https://dx.doi.org/10.3390/s21030688Test

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/s21030688Test

المؤلفون: Delgado-Notario, Juan A., Calvo-Gallego, Jaime, Velázquez-Pérez, Jesús E., Ferrando Bataller, Miguel, Fobelets, Kristel, Meziani, Yahya M.

المساهمون: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions, Generalitat Valenciana, Junta de Castilla y León, European Regional Development Fund, Agencia Estatal de Investigación, Ministerio de Economía y Competitividad

مصطلحات موضوعية: Terahertz, SiGe, MODFET, Silicon, Electromagnetic simulation, TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES

العلاقة: Applied Sciences; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2016-78028-C3-3-P/ES/DISEÑO DE ANTENAS MULTIHAZ DE ALTA GANANCIA PARA LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES DE NUEVA GENERACION/; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/RTI2018-097180-B-I00/ES/NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ/; info:eu-repo/grantAgreement/Junta de Castilla y León//SA256P18/ES/TECNOLOGÍAS BASADAS EN MATERIALES HÍBRIDOS AVANZADOS: GRAFENO, MATERIALES 2D Y AISLANTES TOPOLÓGICOS/; info:eu-repo/grantAgreement/GVA//AICO%2F2019%2F018/; https://doi.org/10.3390/app10175959Test; http://hdl.handle.net/10251/165958Test; urn:eissn:2076-3417

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app10175959Test
http://hdl.handle.net/10251/165958Test

المؤلفون: Juan A. Delgado-Notario, Jaime Calvo-Gallego, Jesús E. Velázquez-Pérez, Miguel Ferrando-Bataller, Kristel Fobelets, Yahya M. Meziani

المصدر: Applied Sciences; Volume 10; Issue 17; Pages: 5959

مصطلحات موضوعية: Terahertz, SiGe, MODFET, silicon, electromagnetic simulation

جغرافية الموضوع: agris

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: Optics and Lasers; https://dx.doi.org/10.3390/app10175959Test

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app10175959Test

المؤلفون: Baghaz, E, Naamane, A, M'Sirdi, Nk

المساهمون: Laboratoire d'Informatique et des Systèmes (LIS) (Marseille, Toulon) (LIS), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Systèmes Automatisés à Structure Variable (SASV), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: International Conference on Electronic Engineering and Renewable Energy (ICEERE’2018) ; https://hal.science/hal-01779865Test ; International Conference on Electronic Engineering and Renewable Energy (ICEERE’2018), Apr 2018, Oujda, Morocco

مصطلحات موضوعية: aging, Silicon Carbide, leakage currents, power MODFET, Boost converter, [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

جغرافية الموضوع: Oujda, Morocco

العلاقة: hal-01779865; https://hal.science/hal-01779865Test; https://hal.science/hal-01779865/documentTest; https://hal.science/hal-01779865/file/ICEERE2018Naamane141ageingMos.pdfTest

الإتاحة: https://hal.science/hal-01779865Test
https://hal.science/hal-01779865/documentTest
https://hal.science/hal-01779865/file/ICEERE2018Naamane141ageingMos.pdfTest

المؤلفون: Gao, Z., Rampazzo, F, De Santi, C, Fornasier, M, Meneghesso, G, Meneghini, M, Blanck, H, Grunenputt, J, Sommer, D, Chen, DY, Wen, KH, Chen, JT, Zanoni, E

المساهمون: Gao, Z., Rampazzo, F, De Santi, C, Fornasier, M, Meneghesso, G, Meneghini, M, Blanck, H, Grunenputt, J, Sommer, D, Chen, Dy, Wen, Kh, Chen, Jt, Zanoni, E

مصطلحات موضوعية: Logic gate, MODFET, HEMT, Electron trap, Electric field, Wide band gap semiconductor, Transconductance, AlGaN/GaN, high electron mobility transistors (HEMTs), hot electron, impact-ionization, short channel effect, trapping

العلاقة: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000988371900001; volume:70; issue:6; firstpage:3005; lastpage:3010; numberofpages:6; journal:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES; https://hdl.handle.net/11577/3491529Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85159843062

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2023.3270134Test
https://hdl.handle.net/11577/3491529Test

المؤلفون: Morton, Christopher Gordon

مصطلحات موضوعية: 621.31042, MODFET, High Electron Mobility Transistor

الوصول الحر: http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.261106Test