-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Kahnt, M., Falkenberg, G., Garrevoet, J., Hartmann, J., Krause, T., Niehle, M., Scholz, M., Seyrich, M., Trampert, A., Waag, A., Wehmann, H.-H., Wittwer, F., Zhou, H., Hanke, M., Schroer, C. G.
المصدر: Microscopy and Microanalysis ; volume 24, issue S2, page 34-35 ; ISSN 1431-9276 1435-8115
مصطلحات موضوعية: Instrumentation
الإتاحة: https://doi.org/10.1017/s143192761801259xTest
https://www.cambridge.org/core/services/aop-cambridge-core/content/view/S143192761801259XTest -
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Strempel K., Romer F., Yu F., Meneghini M., Bakin A., Wehmann H. -H., Witzigmann B., Waag A.
المساهمون: Strempel, K., Romer, F., Yu, F., Meneghini, M., Bakin, A., Wehmann, H. -H., Witzigmann, B., Waag, A.
مصطلحات موضوعية: field-effect transistor, gallium nitride, nanostructure, vertical electronics
العلاقة: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000590134000001; volume:36; issue:1; firstpage:014002; journal:SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY; http://hdl.handle.net/11577/3365255Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85097320175
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Griffiths, I J, Cherns, D, Wang, X, Waag, A, Wehmann, H-H
المصدر: Journal of Physics: Conference Series ; volume 471, page 012018 ; ISSN 1742-6588 1742-6596
الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012018Test
http://stacks.iop.org/1742-6596/471/i=1/a=012018/pdfTest
http://stacks.iop.org/1742-6596/471/i=1/a=012018?key=crossref.193046be43153f929f04c57677c5632dTest -
4مؤتمر
المؤلفون: Kahnt, M., Falkenberg, G., Wehmann, H.-H., Wittwer, Felix, Zhou, H., Hanke, Michael, Schroer, C. G., Garrevoet, J., Hartmann, J., Krause, T., Niehle, M., Scholz, Maria, Seyrich, M., Trampert, A., Waag, A.
المصدر: Microscopy and microanalysis 24(S2), 34 - 35 (2018). doi:10.1017/S143192761801259X ; 14th international conference on X-ray microscopy, XRM 2018, Saskatoon, Canada, 2018-08-19 - 2018-08-24
مصطلحات موضوعية: info:eu-repo/classification/ddc/570
جغرافية الموضوع: DE
العلاقة: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/1431-9276; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/issn/1435-8115; https://bib-pubdb1.desy.de/record/408537Test; https://bib-pubdb1.desy.de/search?p=id:%22PUBDB-2018-02938%22Test
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Klose, F. B., Harms, U., Neuha¨user, H., Bakin, A., Behrens, I., Peiner, E., Wehmann, H.-H., Schlachetzki, A., Ro¨sler, J.
المصدر: Journal of Applied Physics; 6/1/2002, Vol. 91 Issue 11, p9031, 8p, 1 Black and White Photograph, 4 Diagrams, 8 Graphs
مصطلحات موضوعية: SEMICONDUCTOR doping, IRON, INDIUM phosphide, THIN films
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S., Waag, A.
العلاقة: Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S. und Waag, A. (2016) Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires. Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Zwinge, G., Wehmann, H.-H., Schlachetzki, A., Hsu, C. C.
المصدر: Journal of Applied Physics. 11/1/1993, Vol. 74 Issue 9, p5516. 4p. 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 2 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *INDIUM phosphide, *ORGANOMETALLIC compounds, *EPITAXY, *LASER beams
-
8مؤتمر
المؤلفون: Sökmen, Ü., Balke, M., Stranz, A., Fündling, S., Peiner, E., Wehmann, H.-H., Waag, A.
المساهمون: Schmid, Ulrich
المصدر: SPIE Proceedings ; Smart Sensors, Actuators, and MEMS IV ; ISSN 0277-786X
-
9مؤتمر
المؤلفون: Khorenko, V., Mofor, A.C., Bakin, A., Neumann, S., Guttzeit, A., Wehmann, H.-H., Prost, W., Schlachetzki, A., Tegude, F.-J.
المصدر: 16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2004.
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/iciprm.2004.1442625Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/9837/30998/01442625.pdf?arnumber=1442625Test -
10مؤتمر
المؤلفون: Prost, W., Khorenko, V., Mofor, A.C., Bakin, A., Khorenko, E., Ehrich, S., Wehmann, H.-H., Schlachetzki, A., Tegude, F.-J.
المصدر: Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005.
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/essder.2005.1546634Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/10379/32983/01546634.pdf?arnumber=1546634Test
