دورية أكاديمية
Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2 Resistivity of the film deposited via sol-gel and oxidation state of Ce doping in SnO2 matrix
| العنوان: | Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2 Resistivity of the film deposited via sol-gel and oxidation state of Ce doping in SnO2 matrix |
|---|---|
| المؤلفون: | L. V. A. Scalvi, T. F. Pineiz, M. A. L. Pinheiro, M. J. Saeki, V. Briois |
| المصدر: | Cerâmica, Vol 57, Iss 343, Pp 225-230 (2011) |
| بيانات النشر: | Associação Brasileira de Cerâmica, 2011. |
| سنة النشر: | 2011 |
| المجموعة: | LCC:Engineering (General). Civil engineering (General) |
| مصطلحات موضوعية: | dióxido de estanho, filmes finos, cério, terras-raras, transporte elétrico, tin dioxide, thin films, cerium, rare-earth, electrical transport, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040 |
| الوصف: | Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, resultando em maior espalhamento de elétrons. Medidas de caracterização elétrica sob pressão ambiente levam à barreiras de potencial mais altas do que as medidas sob vácuo, devido a adsorção de oxigênio na superfície das partículas. A presença de Ce3+ aumenta a transmitância no infravermelho, o que significa menor quantidade de elétrons livres. Dados de XANES confirmam que o tratamento térmico a 550 ºC dos filmes, ainda que promova oxidação parcial para Ce4+, preserva uma quantidade significativa (em torno de 60%) no estado Ce3+. Espectroscopia Raman mostra a evolução dos modos de vibração intra-grãos de SnO2 com o aumento da temperatura de tratamento térmico.Incorporation of Ce3+ or Ce4+ in sol-gel dip-coating SnO2 thin films increases drastically its electrical resistivity. In the first case, it is due the acceptor-like nature of the doping ion, leading the matrix to high charge compensation. On the other hand, for Ce4+ doped samples, it is verified a broadening of the grain boundary depletion layer. Measurements under room pressure leads to higher intergrain potential barriers when compared to measurements carried out under vacuum conditions, due to oxygen adsorption at particles surface. The presence of Ce3+ increases the infrared transmittance, which means a lower free electron concentration. XANES data confirms that the thermal annealing at 550 ºC of thin films, although promotes oxidation to Ce4+, still keeps a significantly amount (about 60%) of ions in the oxidation state Ce3+. Raman spectroscopy data show the evolution of the SnO2 bulk vibration modes with increasing thermal annealing temperature. |
| نوع الوثيقة: | article |
| وصف الملف: | electronic resource |
| اللغة: | English Portuguese |
| تدمد: | 0366-6913 1678-4553 |
| العلاقة: | http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132011000300019Test; https://doaj.org/toc/0366-6913Test; https://doaj.org/toc/1678-4553Test |
| DOI: | 10.1590/S0366-69132011000300019 |
| الوصول الحر: | https://doaj.org/article/e67508a1f3394cdfa12f5f0a68658348Test |
| رقم الانضمام: | edsdoj.67508a1f3394cdfa12f5f0a68658348 |
| قاعدة البيانات: | Directory of Open Access Journals |
| تدمد: | 03666913 16784553 |
|---|---|
| DOI: | 10.1590/S0366-69132011000300019 |