المؤلفون: Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovsky, S. A. Soroka, S. V. Shwedov, D. A. Ogorodnikov

المصدر: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 3, Pp 75-80 (2019)

مصطلحات موضوعية: mos/soi transistor, gamma radiation, radiation resistance, Electronics, TK7800-8360

وصف الملف: electronic resource

العلاقة: https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/653Test; https://doaj.org/toc/1729-7648Test

الوصول الحر: https://doaj.org/article/ca4ebfbaf3734677afa75e19dbc2f1ecTest

المؤلفون: Yu. V. Bogatyrev, D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovsky, A. V. Ket’ko, M. M. Krechko, S. V. Shpakovsky, P. V. Rubanov, G. A. Protopopov, P. A. Chubunov, Ю. В. Богатырев, Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, А. В. Кетько, М. М. Кречко, С. В. Шпаковский, П. В. Рубанов, Г. А. Протопопов, П. А. Чубунов

المصدر: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2022-67-4

مصطلحات موضوعية: электрический режим, gamma radiation, radiation resistance, radiation dose, electrical mode, гамма-излучение, радиационная стойкость, доза облучения

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767/616Test; Белоус, А. И. Космическая электроника / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 732 с.; Радиационная стойкость изделий ЭКБ / под ред. А. И. Чумакова. – М.: Нац. исслед. ядер. ун-т «МИФИ», 2015. – 512 с.; Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / под ред. Г. Г. Райкунова. – М.: Физматлит, 2013. – 256 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.; Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986. – 254 c.; Ма, Т. Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Т. Р. Ма, P. V. Dressendorfer. – New York: John Wiley & Sons, 1989. – 587 p. https://doi.org/10.1148/radiology.174.3.886Test; Чумаков, А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы / А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 2004. – 320 с.; Claeys, C. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices / С. Claeys, Е. Simoen. – Berlin: Springer, 2002. – 402 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7Test; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.; Baliga, B. J. Silicon RF Power MOSFETS / B. J. Baliga. – N. Y.: World Scientific. 2005. – 302 p.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767Test

الإتاحة: https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408Test
https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4Test
https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7Test
https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767Test

المؤلفون: Yu. V. Bogatyrev, L.I. Murin, Nickolay Abrosimov, S. B. Lastovsky, F. P. Korshunov, Vladimir P. Markevich

المصدر: Vacuum. 81:1171-1174

مصطلحات موضوعية: Deep-level transient spectroscopy, Materials science, Annealing (metallurgy), Analytical chemistry, Electron, Atmospheric temperature range, Condensed Matter Physics, Fluence, Surfaces, Coatings and Films, Electron beam processing, Charge carrier, Irradiation, Atomic physics, Instrumentation

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f604fa0efe1061df8e9e2de730727f4Test
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2007.01.009Test

المؤلفون: Yu. V. Bogatyrev, S. V. Shwedov, A. S. Turtsevich, S. B. Lastovsky, S. S. Grabchikov

المصدر: 2014 24th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology.

مصطلحات موضوعية: Materials science, Electronic engineering, Systems engineering, Constructive

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae57b3402839e11a0211f63d269fe89cTest
https://doi.org/10.1109/crmico.2014.6959661Test

المؤلفون: V. I. Kulgachev, S. B. Lastovsky, N.F. Golubev, I.I. Rubtsevich, F. P. Korshunov, L.P. Anufriev, Yu. V. Bogatyrev

المصدر: Vacuum. 70:197-200

مصطلحات موضوعية: Materials science, Silicon, business.industry, Annealing (metallurgy), Transistor, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, Electron, Carrier lifetime, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films, law.invention, chemistry, law, Electron beam processing, Optoelectronics, Power semiconductor device, Irradiation, business, Instrumentation

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b36a394a344ef7a763175a098ddd9e43Test
https://doi.org/10.1016/s0042-207xTest(02)00642-5

المؤلفون: A. I. Belous, V. S. Malyshev, S. V. Shwedov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovsky, V. I. Kulgachev, V. I. Karas, F. P. Korshunov

المصدر: 2010 20th International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology".

مصطلحات موضوعية: Materials science, CMOS, business.industry, Gamma ray, Optoelectronics, business, Base (exponentiation), Radiation resistance, Gamma irradiation

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f97bb6fe07a4e58cb2c3b1ada1922ba9Test
https://doi.org/10.1109/crmico.2010.5632789Test

المؤلفون: S. V. Shwedov, S. B. Lastovsky, Yu. V. Bogatyrev, F. P. Korshunov, V.A. Gurinovich, V. I. Kulgachev, A. I. Belous

المصدر: 2008 18th International Crimean Conference - Microwave & Telecommunication Technology.

مصطلحات موضوعية: Engineering, CMOS, business.industry, Semiconductor device modeling, Electronic engineering, Cmos logic circuits, Optoelectronics, Radiation, business, Electronic mail, Radiation resistance, Threshold voltage

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d1b33fd502a2e4a3f1d94c7720b0c9bTest
https://doi.org/10.1109/crmico.2008.4676545Test

المؤلفون: V. I. Kulgachev, A. I. Belous, S. B. Lastovsky, Yu. V. Bogatyrev, F. P. Korshunov, N.F. Golubev, S. V. Shwedov

المصدر: 2007 17th International Crimean Conference - Microwave & Telecommunication Technology.

مصطلحات موضوعية: Engineering, Hardware_MEMORYSTRUCTURES, business.industry, Bipolar junction transistor, Electrical engineering, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Insulated-gate bipolar transistor, law.invention, Integrated injection logic, Current injection technique, CMOS, law, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Electronic engineering, EPROM, Erasable programmable logic device, business, Hardware_LOGICDESIGN, EEPROM

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc6ca1ec3c830ea408fae18ec87da97dTest
https://doi.org/10.1109/crmico.2007.4368888Test