-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Atsushi Ogura, Ava Khosravi, Harrison S. Kim, Heber Hernandez-Arriaga, Hernandez-Arriaga Heber, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Jung Yongchan, Khosravi Ava, Kim Harrison S., Kim Jiyoung, Mohan Jaidah, Naomi Sawamoto, Robert M. Wallace, Takahiro Nagata, Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Wallace Robert M., Yongchan Jung, 女屋 崇, 小椋 厚志, 澤本 直美, 生田目 俊秀, 長田 貴弘
المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2636
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Yifan Nie, Chaoping Liang, Pil-Ryung Cha, Luigi Colombo, Robert M. Wallace, Kyeongjae Cho
المصدر: Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-13 (2017)
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2045-2322Test
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Santosh KC, Roberto C. Longo, Robert M. Wallace, Kyeongjae Cho
المصدر: ACS Omega, Vol 2, Iss 6, Pp 2827-2834 (2017)
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2470-1343Test
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Zhong Lin, Yu Lei, Shruti Subramanian, Natalie Briggs, Yuanxi Wang, Chun-Li Lo, Eilam Yalon, David Lloyd, Sanfeng Wu, Kristie Koski, Richard Clark, Saptarshi Das, Robert M. Wallace, Thomas Kuech, Joseph Scott Bunch, Xiaoqin Li, Zhihong Chen, Eric Pop, Vincent H. Crespi, Joshua A. Robinson, Mauricio Terrones
المصدر: APL Materials, Vol 6, Iss 8, Pp 080701-080701-20 (2018)
مصطلحات موضوعية: Biotechnology, TP248.13-248.65, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2166-532XTest
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Weichao Wang, Cheng Gong, Ka Xiong, K.C. Santosh, Robert M. Wallace, Kyeongjae Cho
المصدر: Engineering, Vol 1, Iss 3, Pp 372-377 (2015)
مصطلحات موضوعية: high-mobility device, high-κ/III-V interface, interfacial gap states, first-principle calculations, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2095809916300157Test; https://doaj.org/toc/2095-8099Test
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Ava Khosravi, Rafik Addou, Christopher M. Smyth, Ruoyu Yue, Christopher R. Cormier, Jiyoung Kim, Christopher L. Hinkle, Robert M. Wallace
المصدر: APL Materials, Vol 6, Iss 2, Pp 026603-026603-7 (2018)
مصطلحات موضوعية: Biotechnology, TP248.13-248.65, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2166-532XTest
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Angelica Azcatl, Qingxiao Wang, Moon J. Kim, Robert M. Wallace
المصدر: APL Materials, Vol 5, Iss 8, Pp 086108-086108-6 (2017)
مصطلحات موضوعية: Biotechnology, TP248.13-248.65, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2166-532XTest
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Ava Khosravi, Rafik Addou, Massimo Catalano, Jiyoung Kim, Robert M. Wallace
المصدر: Materials, Vol 12, Iss 7, p 1056 (2019)
مصطلحات موضوعية: rhenium sulfide, atomic layer deposition, plasma-enhanced atomic layer deposition, X-ray photoelectron spectroscopy, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Alberto HERRERA-GOMEZ, Cherngye HWANG, Eric FLINT, Francisco ESPINOSA-MAGAÑA, Francisco-Servando AGUIRRE-TOSTADO, Pierre-Giovanni MANI-GONZALEZ, Robert M. WALLACE, Yongjian SUN
المصدر: Analytical Sciences. 2010, 26(2):267
-
10دورية أكاديمية
مصطلحات موضوعية: Biophysics, Biochemistry, Medicine, Biotechnology, Sociology, Cancer, Infectious Diseases, Astronomical and Space Sciences not elsewhere classified, Biological Sciences not elsewhere classified, Chemical Sciences not elsewhere classified, Ni forms covalent contact, Band Alignment Study, van der Waals gaps form, MoS 2 bulk, interface chemistry, metal sulfide chemical state, substrate defect density, TMD, MoS 2 High contact resistance, 2 L-MoS 2 film, E F, X-ray photoelectron spectroscopy, band alignment, Ag metal contacts