-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Tamura, Y, Yoshihara, R, Kakushima, K, Nohira, H, Nakatsuka, O, Ahmet, P, Kataoka, Y, Nishiyama, A, Sugii, N, Tsutsui, K, Natori, K, Hattori, T, Iwai, H
المصدر: Journal of Physics: Conference Series ; volume 417, page 012015 ; ISSN 1742-6596
الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1742-6596/417/1/012015Test
http://stacks.iop.org/1742-6596/417/i=1/a=012015/pdfTest
http://stacks.iop.org/1742-6596/417/i=1/a=012015?key=crossref.f15629f42b3980798c9cfacbd20ddfbeTest -
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Hirose, K, Suzuki, H, Nohira, H, Ikenaga, E, Kobayashi, D, Hattori, T
المصدر: Journal of Physics: Conference Series ; volume 100, issue 1, page 012011 ; ISSN 1742-6596
-
3مؤتمر
المؤلفون: Kakushima, K., Suzuki, T., Hoshii, T., 宗田伊理也, Iriya Muneta, Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Nohira, H., 星井拓也, Takuya Hoshii
العلاقة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100783284Test; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50450092
-
4دورية أكاديميةEffect of atomic-arrangement matching on La
2 O3 /Ge heterostructures for epitaxial high-k-gate-stacks.المؤلفون: Kanashima, T.1 kanashima@ee.es.osaka-u.ac.jp, Nohira, H.2, Zenitaka, M.1, Kajihara, Y.1, Yamada, S.1, Hamaya, K.1
المصدر: Journal of Applied Physics. 2015, Vol. 118 Issue 22, p225302-1-225302-5. 5p. 2 Color Photographs, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *HETEROSTRUCTURES, *EPITAXIAL layers, *LANTHANUM oxide, *GERMANIUM, *ELECTRIC insulators & insulation, *STRUCTURAL analysis (Engineering)
-
5مؤتمر
المؤلفون: Kakushima, K., Suzuki, T., Hoshii, T., Muneta, I., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Nohira, H.
المصدر: 2017 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT)
الإتاحة: https://doi.org/10.23919/iwjt.2017.7966521Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7958784/7966496/07966521.pdf?arnumber=7966521Test -
6دورية أكاديمية
المؤلفون: SAKAI, K, HASHIMOTO, Y, KINBARA, K, SAIGO, K, MURAKAMI, H, NOHIRA, H, 金原数, Kazushi Kinbara
العلاقة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100767944Test; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50415412
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Sano, R, Konoshima, S, Sawano, K, Nohira, H
المصدر: Semiconductor Science and Technology ; volume 34, issue 1, page 014006 ; ISSN 0268-1242 1361-6641
الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaf3eeTest
http://stacks.iop.org/0268-1242/34/i=1/a=014006/pdfTest
http://stacks.iop.org/0268-1242/34/i=1/a=014006?key=crossref.0548cca1a2283d8c558afeab30964449Test -
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Kinbara, K, Sakai, K, Hashimoto, Y, Nohira, H, Saigo, K, 金原数, Kazushi Kinbara
العلاقة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100756172Test; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50396482
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Kinbara, K, Sakai, K, Hashimoto, Y, Nohira, H, Saigo, K, 金原数, Kazushi Kinbara
العلاقة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100756170Test; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50396480
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Kinbara, K, Hashimoto, Y, Sukegawa, M, Nohira, H, Saigo, K, 金原数, Kazushi Kinbara
العلاقة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100756171Test; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50396481