يعرض 1 - 10 نتائج من 417 نتيجة بحث عن '"NQS"', وقت الاستعلام: 1.63s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
  2. 2
    دورية أكاديمية
  3. 3
    دورية أكاديمية
  4. 4
    دورية أكاديمية

    المساهمون: Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras), Service Technologies et Moyens (STM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

    المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-04410129Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71 (1), pp.173-183. ⟨10.1109/TED.2023.3321017⟩.

  5. 5
    دورية أكاديمية
  6. 6
    دورية أكاديمية
  7. 7
    دورية أكاديمية
  8. 8
    دورية أكاديمية

    المصدر: Electronics; Volume 10; Issue 12; Pages: 1397

    مصطلحات موضوعية: SiGe HBT, NQS effects, transients, compact model, TCAD, HICUM

    وصف الملف: application/pdf

    العلاقة: Microelectronics; https://dx.doi.org/10.3390/electronics10121397Test

  9. 9
    دورية أكاديمية
  10. 10
    دورية أكاديمية

    المساهمون: Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1

    المصدر: ISSN: 0883-4989 ; Electronics ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273304Test ; Electronics, Penton Publishing Inc., 2021, 10 (12), pp.1397. ⟨10.3390/electronics10121397⟩.