يعرض 1 - 10 نتائج من 81 نتيجة بحث عن '"Khamari, Shailesh K."', وقت الاستعلام: 1.52s تنقيح النتائج
  1. 1
    تقرير
    Electron spin relaxation in X-valley of indirect bandgap AlxGa1-xAs: A new horizon for the realization of next generation spin-photonic devices

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata, Khamari, Shailesh K., Bhattacharya, Joydipto, Chakrabarti, Aparna, Sharma, Tarun K.

    المصدر: Phys. Rev. B 104, 115202 (2021)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science

    الوصول الحر: http://arxiv.org/abs/2107.06603Test

    View record in Arxiv

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Theoretical prediction and experimental demonstration of inter-valley scattering induced Inverse Spin Hall effect for hot electrons in GaAs.

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata1,2 mudi@rrcat.gov.in, Khamari, Shailesh K.1 shaileshk@rrcat.gov.in, Sharma, T. K.1,2 tarun@rrcat.gov.in

    المصدر: Journal of Applied Physics. 8/14/2019, Vol. 126 Issue 6, pN.PAG-N.PAG. 9p. 2 Charts, 6 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SPIN Hall effect, *HOT carriers, *AUDITING standards, *CONDUCTION bands


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Ultranarrow Band UV Detection in GaN with Simple Device Architecture.

    المؤلفون: Chatterjee, Abhishek1 (AUTHOR) cabhishek@rrcat.gov.in, Khamari, Shailesh K.1,2 (AUTHOR), Kumar, Ravi1 (AUTHOR), Porwal, Sanjay1 (AUTHOR), Bose, Aniruddha2,3 (AUTHOR), Raghavendra, S.3 (AUTHOR), Dixit, Vijay Kumar1,2 (AUTHOR), Sharma, Tarun Kumar1,2 (AUTHOR)

    المصدر: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. Nov2022, p1. 7p. 9 Illustrations.


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Peculiarities of the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of plasma etched GaN and their relevance to n-GaN Schottky photodetectors.

    المؤلفون: Chatterjee, Abhishek, Agnihotri, V. K., Khamari, Shailesh K., Porwal, S., Bose, A., Joshi, S. C., Sharma, T. K.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 10, pN.PAG-N.PAG, 10p, 3 Diagrams, 4 Charts, 8 Graphs

    مصطلحات موضوعية: PHOTODETECTORS, GALLIUM arsenide, EPITAXIAL layers, SCHOTTKY barrier diodes, SOLID state physics, OPTOELECTRONIC devices, MASS spectrometry


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Temperature dependent spin Hall conductivity in n-GaAs epitaxial layers measured by inverse spin Hall effect.

    المؤلفون: Khamari, Shailesh K.1,2 shaileshk@rrcat.gov.in, Porwal, S.1,2, Sharma, T. K.1,2 tarun@rrcat.gov.in

    المصدر: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 6, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 5 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SPIN Hall effect, *EPITAXIAL layers, *ELECTRIC currents, *NUCLEAR spin, *BOUNDARY value problems


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Prediction of inverse spin Hall devices based on the direct injection of carriers in L-valley of GaAs

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata, Khamari, Shailesh K, Sharma, T K

    المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics ; volume 54, issue 20, page 205101 ; ISSN 0022-3727 1361-6463

    الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1361-6463/abe570Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Contribution of inter-valley scattering in governing the steady state optical spin orientation in Al x Ga 1−x As

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata, Khamari, Shailesh K, Sharma, T K

    المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics ; volume 54, issue 49, page 495107 ; ISSN 0022-3727 1361-6463

    الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac252dTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Signature of linear-in- k Dresselhaus splitting in the spin relaxation of X -valley electrons in indirect band gap AlGaAs

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata, Khamari, Shailesh K., Bhattacharya, Joydipto, Chakrabarti, Aparna, Sharma, Tarun K.

    المساهمون: Homi Bhabha National Institute

    المصدر: Physical Review B ; volume 104, issue 11 ; ISSN 2469-9950 2469-9969

    الإتاحة: https://doi.org/10.1103/physrevb.104.115202Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Effect of 60Co γ-irradiation on the nature of electronic transport in heavily doped n-type GaN based Schottky photodetectors.

    المؤلفون: Chatterjee, Abhishek1,2 cabhishek@rrcat.gov.in, Khamari, Shailesh K.1,2, Porwal, S.1, Kher, S.3, Sharma, T. K.1,2 tarun@rrcat.gov.in

    المصدر: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *SCHOTTKY barrier diodes, *PHOTODETECTORS, *ELECTRIC properties of gallium nitride, *EPITAXY, *IRRADIATION


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Observation of strong photo induced inverse spin hall effect in heavily doped n-GaAs

    المؤلفون: Mudi, Priyabrata, Khamari, Shailesh K., Sharma, T. K.

    المصدر: DAE SOLID STATE PHYSICS SYMPOSIUM 2018 ; AIP Conference Proceedings ; ISSN 0094-243X

    الإتاحة: https://doi.org/10.1063/1.5113299Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث