يعرض 1 - 10 نتائج من 10 نتيجة بحث عن '"Kastl, R. H."', وقت الاستعلام: 1.01s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    The poly-single crystalline silicon interface.

    المؤلفون: Wong, C. Y., Michel, A. E., Isaac, R. D., Kastl, R. H., Mader, S. R.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p1131-1134, 4p


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Diffusion of Tin into Silicon.

    المؤلفون: Yeh, T. H., Hu, S. M., Kastl, R. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Aug1968, Vol. 39 Issue 9, p4266-4271, 6p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Diffusion of boron into polycrystalline silicon from a single crystal source.

    المؤلفون: Rausch, W. A., Lever, R. F., Kastl, R. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; Aug1983, Vol. 54 Issue 8, p4405-4407, 3p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Near-surface damage and contamination of silicon following electron cyclotron resonance etching.

    المؤلفون: Yapsir, A. S., Fortuño-Wiltshire, G., Gambino, J. P., Kastl, R. H., Parks, C. C.

    المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1990, Vol. 8 Issue 3, p2939-2944, 6p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    كتاب
    Radiation Damage of 50–250 keV Hydrogen Ions in Silicon

    المؤلفون: Chu, W. K., Kastl, R. H., Lever, R. F., Mader, S., Masters, B. J.

    المصدر: Ion Implantation in Semiconductors 1976 ; page 483-492 ; ISBN 9781461341987 9781461341963

    الإتاحة: https://doi.org/10.1007/978-1-4613-4196-3_51Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية
    Low-energy antimony implantation in silicon

    المؤلفون: Chu, W. K., Kastl, R. H., Murley, P. C.

    المصدر: Radiation Effects and Defects in Solids; April 1980, Vol. 47 Issue: 1 p1-6, 6p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Low-energy antimony implantation in silicon ; I. Profile measurements and calculation

    المؤلفون: Chu, W. K., Kastl, R. H., Murley, P. C.

    المصدر: Radiation Effects ; volume 47, issue 1-4, page 1-6 ; ISSN 0033-7579

    الإتاحة: https://doi.org/10.1080/00337578008209179Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Distribution of irradiation damage in silicon bombarded with hydrogen

    المؤلفون: Chu, W. K., Kastl, R. H., Lever, R. F., Mader, S., Masters, B. J.

    المصدر: Physical Review B ; volume 16, issue 9, page 3851-3859 ; ISSN 0556-2805

    الإتاحة: https://doi.org/10.1103/physrevb.16.3851Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion implanted boron into silicon

    المؤلفون: Michel, A. E., Rausch, W., Ronsheim, P. A., Kastl, R. H.

    المصدر: Applied Physics Letters ; volume 50, issue 7, page 416-418 ; ISSN 0003-6951 1077-3118

    مصطلحات موضوعية: Physics and Astronomy (miscellaneous)

    الإتاحة: https://doi.org/10.1063/1.98160Test
    https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/50/7/416/18460371/416_1_online.pdfTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Channeling in low energy boron ion implantation

    المؤلفون: Michel, A. E., Kastl, R. H., Mader, S. R., Masters, B. J., Gardner, J. A.

    المصدر: Applied Physics Letters ; volume 44, issue 4, page 404-406 ; ISSN 0003-6951 1077-3118

    الإتاحة: https://doi.org/10.1063/1.94790Test
    https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/44/4/404/18450719/404_1_online.pdfTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث