-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Chi-Cheng Tien, Yu-Hsien Lin
المصدر: IEEE Access, Vol 12, Pp 83629-83637 (2024)
مصطلحات موضوعية: Band-to-band tunneling (BTBT), CMOS, TFET, inverter, gate-all-around (GAA), low temperature, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Rinku Rani Das, T. R. Rajalekshmi, Alex James
المصدر: IEEE Access, Vol 12, Pp 50556-50577 (2024)
مصطلحات موضوعية: Gate-all-around (GAA), multi-bridge channel (MBC), silicon on insulator (SOI), Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Hakkee Jung
المصدر: AIMS Electronics and Electrical Engineering, Vol 7, Iss 4, Pp 322-336 (2023)
مصطلحات موضوعية: subthreshold swing, junctionless, gate-all-around (gaa), ferroelectric, remanent polarization, coercive field, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2578-1588Test
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Cong Li, Yali Shao, Fengyu Kuang, Fang Liu, Yunqi Wang, Xiaoming Li, Yiqi Zhuang
المصدر: Micromachines, Vol 15, Iss 4, p 424 (2024)
مصطلحات موضوعية: gate-all-around (GAA), band-to-band tunneling (BTBT), reliability, self-heating effect (SHE), nanosheet field-effect transistor (NSFET), Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Kun Chen, Jingwen Yang, Chunlei Wu, Chen Wang, Min Xu, David Wei Zhang
المصدر: IEEE Access, Vol 11, Pp 65491-65495 (2023)
مصطلحات موضوعية: Gate-all-around (GAA), nanosheet (NS-FET), S/D stressor, stress enhancement, strain relaxed buffer, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Yage Zhao, Zhongshan Xu, Huawei Tang, Yusi Zhao, Peishun Tang, Rongzheng Ding, Xiaona Zhu, David Wei Zhang, Shaofeng Yu
المصدر: Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 218 (2024)
مصطلحات موضوعية: gate-all-around (GAA) Nanosheet FETs (NSFETs), compact model, artificial neural network (ANN), TCAD simulation, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Fengyu Kuang, Cong Li, Haokun Li, Hailong You, M. Jamal Deen
المصدر: Electronics; Volume 12; Issue 16; Pages: 3419
مصطلحات موضوعية: gate-all-around (GAA), inner spacer (IS), nanosheet (NS), inter-bridge (IB), cross-sectional shape, TCAD
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics12163419Test
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Weijing Liu, Xinfu Pan, Jiangnan Liu, Qinghua Li
المصدر: Electronics; Volume 12; Issue 7; Pages: 1529
مصطلحات موضوعية: gate-all-around (GAA), TreeFET, interbridge, nanosheet, geometry parameters, electro-thermal, self-heating effects
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: Semiconductor Devices; https://dx.doi.org/10.3390/electronics12071529Test
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Jingwen Yang, Kun Chen, Dawei Wang, Tao Liu, Xin Sun, Qiang Wang, Ziqiang Huang, Zhecheng Pan, Saisheng Xu, Chen Wang, Chunlei Wu, Min Xu, David Wei Zhang
المصدر: Micromachines; Volume 14; Issue 3; Pages: 611
مصطلحات موضوعية: Gate-All-Around (GAA), stress, nanosheet length, channel release, nanosheet deformation
وصف الملف: application/pdf
العلاقة: D:Materials and Processing; https://dx.doi.org/10.3390/mi14030611Test
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Dawei Wang, Xin Sun, Tao Liu, Kun Chen, Jingwen Yang, Chunlei Wu, Min Xu, Wei (David) Zhang
المصدر: Electronics; Volume 12; Issue 3; Pages: 770
مصطلحات موضوعية: 5 nm node technology, gate-all-around (GAA), nanosheet (NS) FET, FinFET, source/drain recess
وصف الملف: application/pdf