المؤلفون: Noel, Jean-Philippe, Valea, Emanuele, Grenouillet, Laurent, Chapuis, Bastien, Fisher, Clément, Recoquillay, Arnaud, Giraud, Bastien

المساهمون: Laboratoire Fonctions Innovantes pour circuits Mixtes (LFIM), Université Grenoble Alpes (UGA)-Département Systèmes et Circuits Intégrés Numériques (DSCIN (CEA, LIST)), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Département Composants Silicium (DCOS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Laboratoire Systèmes et Photonique pour le Monitoring (CEA, LIST) (LSPM (CEA, LIST)), Département d'instrumentation Numérique (CEA, LIST) (DIN (CEA, LIST)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, CYBERALPS, ANR-15-IDEX-0002,UGA,IDEX UGA(2015)

المصدر: VLSI SoC - 2023 IFIP/IEEE 31st International Conference on Very Large Scale Integration ; https://cea.hal.science/cea-04463300Test ; VLSI SoC - 2023 IFIP/IEEE 31st International Conference on Very Large Scale Integration, Oct 2023, Dubai, United Arab Emirates. ⟨10.1109/VLSI-SoC57769.2023.10321864⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/10321864Test

مصطلحات موضوعية: signal processing, sensor, instrumentation, Serial Ferroelectric RAM (FeRAM), Electronic architecture, embedded system, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [INFO.INFO-TS]Computer Science [cs]/Signal and Image Processing

جغرافية الموضوع: Dubai, United Arab Emirates

العلاقة: cea-04463300; https://cea.hal.science/cea-04463300Test; https://cea.hal.science/cea-04463300/documentTest; https://cea.hal.science/cea-04463300/file/JPNOEL_VLSISOC23.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/VLSI-SoC57769.2023.10321864Test
https://cea.hal.science/cea-04463300Test
https://cea.hal.science/cea-04463300/documentTest
https://cea.hal.science/cea-04463300/file/JPNOEL_VLSISOC23.pdfTest

المؤلفون: Meili Xu¹, Shuxu Guo¹, Lanyi Xiang¹, Ting Xu¹, Wenfa Xie¹, Wei Wang¹

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2018, Vol. 65 Issue 3, p1113-1118. 6p.

مصطلحات موضوعية: NONVOLATILE memory, FERROELECTRIC RAM, ORGANIC field-effect transistors, SEMICONDUCTOR films, FERROELECTRIC polymers, ATOMIC force microscopy

المؤلفون: Lin, Y. S.¹, Zeng, F.¹, Tang, S. G.¹, Liu, H. Y.¹, Chen, C.¹, Gao, S.¹, Wang, Y. G.¹, Pan, F.¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Feb2013, Vol. 113 Issue 6, p064510. 5p.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC RAM, *X-ray photoelectron spectroscopy, *TRANSMISSION electron microscopy, *VALENCE (Chemistry), *ELECTRIC resistance, *INTERFACES (Physical sciences)

المؤلفون: Ghenzi, N.¹, Sánchez, M. J.², Rozenberg, M. J.^3,4, Stoliar, P.^1,5, Marlasca, F. G.¹, Rubi, D.^1,5, Levy, P.¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Apr2012, Vol. 111 Issue 8, p084512. 5p. 4 Graphs.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC RAM, *POLARITY (Physics), *FERROELECTRIC crystals, *FERROELECTRIC devices, *OPTICAL polarization

المؤلفون: Rahaman, S. Z.¹, Maikap, S.¹, Chen, W. S.², Lee, H. Y.², Chen, F. T.², Tien, T. C.³, Tsai, M. J.²

المصدر: Journal of Applied Physics. Mar2012, Vol. 111 Issue 6, p063710. 8p.

مصطلحات موضوعية: *NANOSTRUCTURED materials, *FERROELECTRIC RAM, *TRANSMISSION electron microscopy, *ELECTRONICS, *PHYSICS

المؤلفون: Chen, C.¹, Pan, F.¹, Wang, Z. S.¹, Yang, J.¹, Zeng, F.¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Jan2012, Vol. 111 Issue 1, p013702. 6p. 1 Diagram, 6 Graphs.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC RAM, *ALUMINUM, *ZINC oxide, *SILICON, *ARRHENIUS equation, *SUBSTRATES (Materials science), *THIN films

المؤلفون: Gyanathan, Ashvini¹, Yeo, Yee-Chia¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Dec2011, Vol. 110 Issue 12, p124517. 7p. 2 Diagrams, 1 Chart, 11 Graphs.

مصطلحات موضوعية: *PHASE change materials, *FERROELECTRIC RAM, *THERMAL insulation, *CRYSTALLIZATION, *THERMAL conductivity, *THERMAL analysis, *SILICA, *SUBSTRATES (Materials science)

المؤلفون: Kannan, V.¹, Rhee, J. K.¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Oct2011, Vol. 110 Issue 7, p074505. 4p.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC RAM, *QUANTUM dots, *TIN compounds, *OXIDES, *TEMPERATURE

المؤلفون: Won, C. J.¹, Park, Y. A.¹, Lee, K. D.¹, Ryu, H. Y.¹, Hur, N.¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Apr2011, Vol. 109 Issue 8, p084108. 4p.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC crystals, *FERROELECTRIC RAM, *DIODES, *VACUUM tubes, *GERMANIUM diodes

المؤلفون: Tung-Ming Pan¹ tmpan@mail.cgu.edu.tw, Fa-Hsyang Chen¹, Ji-Shing Jung¹

المصدر: Journal of Applied Physics. Oct2010, Vol. 108 Issue 7, p074501. 5p. 6 Graphs.

مصطلحات موضوعية: *FERROELECTRIC RAM, *PHOTOELECTRON spectroscopy, *MOLECULAR spectroscopy, *PARTICLES (Nuclear physics), *PHOTOELECTRICITY