يعرض 1 - 10 نتائج من 32 نتيجة بحث عن '"Feng, M-X"', وقت الاستعلام: 0.98s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
  2. 2
  3. 3
    تقرير

    مصطلحات موضوعية: 半导体器件

    العلاقة: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; Chen P (Chen, P.); Feng MX (Feng, M. X.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Li L (Li, L.); Wu LL (Wu, L. L.); Le LC (Le, L. C.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.) .Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2012,112(11):113105; http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23764Test

  4. 4
    دورية أكاديمية
  5. 5
  6. 6
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Feng M X, Sun F J, Wang F, Wang K L, Liu M

    المساهمون: Department of Epidemiology and Biostatistics, Peking University School of Public Health, Beijing 100191, China., Beijing International Travel Health Care Center, Beijing 100094, China., Beijing Entry-Exit Inspection and Quarantine Bureau, Beijing 100026, China.

    المصدر: PubMed

    العلاقة: Beijing da xue xue bao. Yi xue ban.2016,48(3),491-5.; 1389105; http://hdl.handle.net/20.500.11897/433275Test

  7. 7
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Chen, R., Feng, M. X., Li, M., Huang, Y.

    المصدر: Materials Research Innovations ; volume 19, issue sup5, page S5-405-S5-409 ; ISSN 1432-8917 1433-075X

  8. 8
    دورية أكاديمية

    المؤلفون: Feng, M. X., Chen, R., Li, Q.

    المصدر: Materials Research Innovations ; volume 19, issue sup5, page S5-448-S5-453 ; ISSN 1432-8917 1433-075X

  9. 9
    دورية أكاديمية

    المساهمون: The National Natural Science Foundation of China, the National High Technology Research and Development Progam of China (863 Progam), the Science and Technology Support Project of Jiangsu Province, the opening Project of Science and Technology on Reliability and Application Technology of Electronic Component Laboratory, the Strategic Laboratory Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences

    المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics ; volume 48, issue 41, page 415101 ; ISSN 0022-3727 1361-6463

  10. 10
    دورية أكاديمية