المؤلفون: Panda, Soumya Ranjan, Zimmer, Thomas, Chakravorty, Anjan, Derrier, Nicolas, Fregonese, Sebastien

المساهمون: Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras), Service Technologies et Moyens (STM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-04410129Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71 (1), pp.173-183. ⟨10.1109/TED.2023.3321017⟩.

مصطلحات موضوعية: SiGe HBT, High-frequency characterization, HICUM, Parameter extraction, THz Device, NQS effects, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

العلاقة: hal-04410129; https://hal.science/hal-04410129Test; https://hal.science/hal-04410129/documentTest; https://hal.science/hal-04410129/file/Exploring_Compact_Modeling_of_SiGe_HBTs_in_Sub_THz_Range_with_HICUM_to_be_published.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2023.3321017Test
https://hal.science/hal-04410129Test
https://hal.science/hal-04410129/documentTest
https://hal.science/hal-04410129/file/Exploring_Compact_Modeling_of_SiGe_HBTs_in_Sub_THz_Range_with_HICUM_to_be_published.pdfTest

المؤلفون: Panda, Soumya Ranjan, Zimmer, Thomas, Chakravorty, Anjan, Derrier, Nicolas, Fregonese, Sebastien

المساهمون: Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras), Service Technologies et Moyens (STM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), European Project: 10.3030/101096256,SHIFT

المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-04274093Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, pp.1-11. ⟨10.1109/TED.2023.3321017⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/10274813Test.

مصطلحات موضوعية: SiGe HBT High-frequency characterization HICUM Parameter extraction THz Device NQS effects, SiGe HBT, High-frequency characterization, HICUM, Parameter extraction, THz Device, NQS effects, [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//10.3030/101096256/EU/Sustainable technologies enabling Future Telecommunication applications (Grant agreement ID: 101096256)/SHIFT; hal-04274093; https://hal.science/hal-04274093Test; https://hal.science/hal-04274093/documentTest; https://hal.science/hal-04274093/file/nqs_work_last%20%281%29.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2023.3321017Test
https://hal.science/hal-04274093Test
https://hal.science/hal-04274093/documentTest
https://hal.science/hal-04274093/file/nqs_work_last%20%281%29.pdfTest

المؤلفون: Fregonese, Sebastien, de Matos, Magali, Deng, Marina, Celi, Didier, Derrier, Nicolas, Zimmer, Thomas

المساهمون: Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics, IPCEI NANO 2022, European Project: 737454,H2020,H2020-ECSEL-2016-1-RIA-two-stage,TARANTO(2017)

المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03776416Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (12), pp.6007-6014. ⟨10.1109/TED.2021.3118671⟩.

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//737454/EU/TowARds Advanced bicmos NanoTechnology platforms for rf and thz applicatiOns/TARANTO; hal-03776416; https://hal.science/hal-03776416Test; https://hal.science/hal-03776416/documentTest; https://hal.science/hal-03776416/file/IEEE_TED_Fregonese_Probes_110GHz_AFT_review_3_clean.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2021.3118671Test
https://hal.science/hal-03776416Test
https://hal.science/hal-03776416/documentTest
https://hal.science/hal-03776416/file/IEEE_TED_Fregonese_Probes_110GHz_AFT_review_3_clean.pdfTest

المؤلفون: Deng, Marina, Lepilliet, Sylvie, Danneville, Francois, Dambrine, Gilles, Gloria, Daniel, Derrier, Nicolas, Chevalier, Pascal

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES)

المصدر: European Microwave Week 2013, EuMW 2013 - Conference Proceedings; EuMC 2013: 43rd European Microwave Conference ; https://hal.science/hal-01402459Test ; European Microwave Week 2013, EuMW 2013 - Conference Proceedings; EuMC 2013: 43rd European Microwave Conference, Oct 2013, Nuremberg, Germany

مصطلحات موضوعية: Resistance, Heterojunction bipolar transistors, Transmission line measurements, Electrical resistance measurement, Integrated circuit modeling, Radio frequency, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

جغرافية الموضوع: Nuremberg, Germany

العلاقة: hal-01402459; https://hal.science/hal-01402459Test

الإتاحة: https://hal.science/hal-01402459Test

المؤلفون: Avenier, GrÉgory, Diop, Malick, Chevalier, Pascal, Troillard, Germaine, Loubet, Nicolas, Bouvier, Julien, Depoyan, Linda, Derrier, Nicolas, Buczko, Michel, Leyris, CÉdric, Boret, Samuel, Montusclat, SÉbastien, Margain, Alain, Pruvost, SÉbastien, Nicolson, Sean T., Yau, Kenneth H. K., Revil, Nathalie, Gloria, Daniel, Dutartre, Didier, Voinigescu, Sorin P., Chantre, Alain

المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits ; volume 44, issue 9, page 2312-2321 ; ISSN 0018-9200

مصطلحات موضوعية: Electrical and Electronic Engineering

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/jssc.2009.2024102Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/4/5226685/05226691.pdf?arnumber=5226691Test

المؤلفون: Avenier, Grégory, Diop, Malick, Chevalier, Pascal, Troillard, Germaine, Loubet, Nicolas, Bouvier, Julien, Depoyan, Linda, Derrier, Nicolas, Buczko, Michel, Leyris, Cédric, Boret, Samuel, Montusclat, Sébastien, Margain, Alain, Pruvost, Sébastien, Nicolson, Sean T., Yau, Kenneth H. K., Revil, Nathalie, Gloria, Daniel, Dutartre, Didier, Voinigescu, Sorin P.

المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits; Sep2009, Vol. 44 Issue 9, p2312-2321, 10p, 12 Black and White Photographs

مصطلحات موضوعية: INTEGRATED circuits, COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, MILLIMETER waves, ELECTRIC potential, ELECTRIC lines, ELECTRIC inductors, CAPACITORS, BIPOLAR transistors

المؤلفون: Stein, Félix

المساهمون: Bordeaux, Maneux, Cristell, Derrier, Nicolas

مصطلحات موضوعية: Transistors bipolaires à hétérojonction (TBH), TBH à base de SiGe, Modélisation du transistor, Simulation du circuit, Modèle géométrique, Conception des circuits intègrés (CI), Paramètres en régime de petit signal, Transistor bipolaire vertical auto-aligné, Transistor bipolaire dans une simulation SPICE, Structure de test, Résistance de base, Résistance collecteur, Résistance d’émetteur, Effet Early, Heterojunction bipolar transistors, Silicon-germanium, SiGe, Semiconductor device models, Analytical geometrical model, Charge-based model, ICCR, Integrated circuit design, Small-signal model, Vertical bipolar junction transistor, Device simulation, Circuit simulation, Test structure, Base resistance, Collector resistance, Emitter resistance

العلاقة: http://www.theses.fr/2014BORD0281/documentTest

الإتاحة: http://www.theses.fr/2014BORD0281/documentTest

المؤلفون: BHATTACHARYYA, Arkaprava

المساهمون: Zimmer, Thomas, Maneux, Cristell, Derrier, Nicolas, Frégonèse, Sébastien, Baureis, Peter, Rinaldi, Niccolò

مصطلحات موضوعية: Conception assistée par ordinateur (CAO), Transistor bipolaire, TBH SiGe, Modélisation compacte, Modèle HICUM, Extraction des paramètres, Computer Aided Design (CAD), Bipolar transistor, SiGe HBT, Compact modeling, HICUM model

العلاقة: http://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2011/BHATTACHARYYA_ARKAPRAVA_2011.pdfTest; https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22184Test; 2011BOR14294

الإتاحة: https://doi.org/20.500.12278/22184Test
https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/22184Test
https://hdl.handle.net/20.500.12278/22184Test
http://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2011/BHATTACHARYYA_ARKAPRAVA_2011.pdfTest

المؤلفون: STEIN, Félix

المساهمون: Maneux, Cristell, Derrier, Nicolas, Celi, Didier, Frégonèse, Sébastien, Zimmer, Thomas, Lallement, Christophe, Quéré, Raymond

مصطلحات موضوعية: Transistors bipolaires à hétérojonction (TBH), TBH à base de SiGe, Modélisation du transistor, Simulation du circuit, Modèle géométrique, Conception des circuits intègrés (CI), Paramètres en régime de petit signal, Transistor bipolaire vertical auto-aligné, Transistor bipolaire dans une simulation SPICE, Structure de test, Résistance de base, Résistance collecteur, Résistance d’émetteur, Effet Early, Heterojunction bipolar transistors, Silicon-germanium, SiGe, Semiconductor device models, Analytical geometrical model, Charge-based model, ICCR, Integrated circuit design, Small-signal model, Vertical bipolar junction transistor, Device simulation, Circuit simulation, Test structure, Base resistance, Collector resistance, Emitter resistance

العلاقة: http://www.theses.fr/2014BORD0281/abesTest; https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01200490Test; 2014BORD0281

الإتاحة: http://www.theses.fr/2014BORD0281/abesTest
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01200490Test

المؤلفون: BHATTACHARYYA, Arkaprava

المساهمون: Zimmer, Thomas, Maneux, Cristell, Derrier, Nicolas, Frégonèse, Sébastien, Baureis, Peter, Rinaldi, Niccolò

مصطلحات موضوعية: Conception assistée par ordinateur (CAO), Extraction des paramètres, Modélisation compacte, Transistor bipolaire, TBH SiGe, Modèle HICUM

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______9631::ad41fa859df30e4ce43677569c6b9ea7Test
http://hdl.handle.net/20.500.12278/22184Test