المؤلفون: Yu. V. Bogatyrev, D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovsky, A. V. Ket’ko, M. M. Krechko, S. V. Shpakovsky, P. V. Rubanov, G. A. Protopopov, P. A. Chubunov, Ю. В. Богатырев, Д. А. Огородников, С. Б. Ластовский, А. В. Кетько, М. М. Кречко, С. В. Шпаковский, П. В. Рубанов, Г. А. Протопопов, П. А. Чубунов

المصدر: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 67, № 4 (2022); 402-408 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2022-67-4

مصطلحات موضوعية: электрический режим, gamma radiation, radiation resistance, radiation dose, electrical mode, гамма-излучение, радиационная стойкость, доза облучения

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767/616Test; Белоус, А. И. Космическая электроника / А. И. Белоус, В. А. Солодуха, С. В. Шведов. – М.: Техносфера, 2015. – Кн. 2. – 732 с.; Радиационная стойкость изделий ЭКБ / под ред. А. И. Чумакова. – М.: Нац. исслед. ядер. ун-т «МИФИ», 2015. – 512 с.; Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / под ред. Г. Г. Райкунова. – М.: Физматлит, 2013. – 256 с.; Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.; Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986. – 254 c.; Ма, Т. Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Т. Р. Ма, P. V. Dressendorfer. – New York: John Wiley & Sons, 1989. – 587 p. https://doi.org/10.1148/radiology.174.3.886Test; Чумаков, А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы / А. И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 2004. – 320 с.; Claeys, C. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices / С. Claeys, Е. Simoen. – Berlin: Springer, 2002. – 402 p. https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7Test; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.; Baliga, B. J. Silicon RF Power MOSFETS / B. J. Baliga. – N. Y.: World Scientific. 2005. – 302 p.; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767Test

الإتاحة: https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408Test
https://doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4Test
https://doi.org/10.1007/978-3-662-04974-7Test
https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/767Test

المؤلفون: D. A. Aharodnikau, Д. А. Огородников

المصدر: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series; Том 58, № 3 (2022); 337-343 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук; Том 58, № 3 (2022); 337-343 ; 2524-2415 ; 1561-2430 ; 10.29235/1561-2430-2022-58-3

مصطلحات موضوعية: рентгеновское излучение, Si/SiO2 interface, external electric field, accumulated charge, X-ray quanta, граница раздела Si/SiO2, внешнее электрическое поле, накопленный заряд

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/671/547Test; Гулаков, И. Р. Фотоприемники квантовых систем / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич. – Минск: УО ВГКС, 2012. – 48 с.; The cross-talk problem in SiPMs and their use as light sensors for imaging atmospheric Cherenkov telescopes / Е. Popova [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2009. – Vol. 610, № 1. – P. 131–134. http://dx.doiTest. org/10.1016%2Fj.nima.2009.05.150; Garutti, E. Radiation Damage of SiPMs / E. Garutti, Yu. Musienko // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. – 2019. – Vol. 926. – P. 69–84. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.191Test; Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов // Влияние ионизирующих излучений на кремний, биполярные приборные структуры / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – Минск, 2012. – С. 261–287.; ATLAS User’s Manual. Device Simulation Software [Electronic resource] / SILVACO International. – 2010. – Mode of access: http://ridl.cfd.rit.edu/products/manuals/Silvaco/atlas_users.pdfTest. – Date of access: 13.05.2021.; https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/671Test

الإتاحة: https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-3-337-343Test
https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-3Test
https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.10.191Test
https://vestifm.belnauka.by/jour/article/view/671Test