يعرض 1 - 10 نتائج من 250 نتيجة بحث عن '"Cha, Ho-Young"', وقت الاستعلام: 1.16s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Normally-off recessed gate β-Ga 2 O 3 MOSHFETs with a modulation-doped heterostructure back-barrier

    المؤلفون: Atmaca, Gökhan, Cha, Ho-Young

    المساهمون: Material Component Development Program of MORIE/KEIT, Basic Science Research Programs, the Brain Pool Program through the National Research Foundation of Korea (NRF) funded by the Ministry of Science and ICT

    المصدر: Physica Scripta ; volume 99, issue 3, page 035901 ; ISSN 0031-8949 1402-4896

    الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad213fTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    P-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor with a threshold voltage of 6 V

    المؤلفون: Kim, Dong-Guk, Yim, Jun-Hyeok, Lee, Min-Keun, Chae, Myeong-Su, Kim, Hyungtak, Cha, Ho-Young

    المساهمون: Korea governmen, Ministry of Science and ICT, South Korea, Ministry of Trade, Industry & Energy

    المصدر: IEEE Electron Device Letters ; page 1-1 ; ISSN 0741-3106 1558-0563

    الإتاحة: https://doi.org/10.1109/led.2024.3391619Test
    http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/4357973/10505303.pdf?arnumber=10505303Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Enhancement mode β-(Al0.19Ga0.81)2O3/Ga2O3 HFETs with superlattice back-barrier layer

    المؤلفون: Atmaca, Gökhan, Cha, Ho-Young

    المساهمون: National Research Foundation of Korea

    المصدر: Micro and Nanostructures ; volume 189, page 207802 ; ISSN 2773-0123

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Biomaterials

    الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207802Test
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2773012324000517?httpAccept=text/xmlTest
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2773012324000517?httpAccept=text/plainTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Normally-off recessed gate β -Ga2O3 MOSHFETs with a modulation-doped heterostructure back-barrier.

    المؤلفون: Atmaca, Gökhan, Cha, Ho-Young

    المصدر: Physica Scripta; Mar2024, Vol. 99 Issue 3, p1-13, 13p


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Electrical properties of 2H-Si microwire grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy

    المؤلفون: Shin, Seungheon, Kim, Kyoung Hwa, Lee, Gang Seok, Lee, Jae Hak, Ahn, Hyung Soo, Cha, Ho-Young

    المساهمون: National Research Foundation of Korea, Ministry of Trade, Industry and Energy, Korea Institute for Advancement of Technology

    المصدر: Results in Physics ; volume 40, page 105857 ; ISSN 2211-3797

    مصطلحات موضوعية: General Physics and Astronomy

    الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.105857Test
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2211379722005010?httpAccept=text/xmlTest
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2211379722005010?httpAccept=text/plainTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Design of Trench MIS Field Plate Structure for Edge Termination of GaN Vertical PN Diode.

    المؤلفون: Lee, Sung-Hoon, Cha, Ho-Young

    المصدر: Micromachines; Nov2023, Vol. 14 Issue 11, p2005, 12p

    مصطلحات موضوعية: BREAKDOWN voltage, DIODES, GALLIUM nitride, TRENCHES, DIELECTRIC materials, DIELECTRIC strength

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Special issue on SoC and AI processors

    المؤلفون: Kim, Ji‐Hoon, Lee, Minjae, Park, Jongsun, Cha, Ho‐Young

    المصدر: ETRI Journal ; volume 42, issue 4, page 465-467 ; ISSN 1225-6463 2233-7326

    الإتاحة: https://doi.org/10.4218/etr2.12316Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Fluorine-Based Low-Damage Selective Etching Process for E-Mode p-GaN/AlGaN/GaN HFET Fabrication.

    المؤلفون: Kim, Hyeon-Ji, Yim, Jun-Hyeok, Kim, Hyungtak, Cha, Ho-Young

    المصدر: Electronics (2079-9292); Oct2023, Vol. 12 Issue 20, p4347, 12p

    مصطلحات موضوعية: BREAKDOWN voltage, ETCHING, GALLIUM nitride, GAS mixtures, THRESHOLD voltage, FIELD-effect transistors, CURRENT-voltage characteristics

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Characterization of High-Performance InGaAs QW-MOSFETs With Reliable Bi-Layer HfO x N y Gate Stack

    المؤلفون: Eom, Su-Keun, Kong, Min-Woo, Cha, Ho-Young, Seo, Kwang-Seok

    المساهمون: Nano Material Technology Development Program, National Research Foundation of Korea

    المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 7, page 908-913 ; ISSN 2168-6734

    مصطلحات موضوعية: Electrical and Electronic Engineering, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Biotechnology

    الإتاحة: https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2934745Test
    http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6245494/8656606/08796336.pdf?arnumber=8796336Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    SF6 plasma treatment for leakage current reduction of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

    المؤلفون: Kim, Hyun-Seop, Seo, Kwang-Seok, Oh, Jungwoo, Cha, Ho-Young

    المساهمون: NRF

    المصدر: Results in Physics ; volume 10, page 248-249 ; ISSN 2211-3797

    مصطلحات موضوعية: General Physics and Astronomy

    الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.rinp.2018.06.009Test
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2211379718309975?httpAccept=text/xmlTest
    https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2211379718309975?httpAccept=text/plainTest

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث