يعرض 1 - 10 نتائج من 548 نتيجة بحث عن '"Antoniadis, Dimitri A."', وقت الاستعلام: 1.53s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Poly-Si₁₋xGex Film Growth for Ni Germanosilicided Metal Gate
    Poly-Si1-xGex Film Growth for Ni Germanosilicided Metal Gate

    المؤلفون: Yu, Hongpeng, Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong, Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, Dimitri A.

    مصطلحات موضوعية: complementary metal oxide semiconductor, nickel, poly-SiGe, poly-silicon germanium, silica

    وصف الملف: 13404 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/7371Test


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Effect of Pt on agglomeration and Ge out-diffusion in Ni(Pt) germanosilicide

    المؤلفون: Jin, Lijuan, Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong, Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, Dimitri A., Chi, D.Z.

    مصطلحات موضوعية: agglomeration, Ge out-diffusion

    وصف الملف: 1019837 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3825Test


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Dependence of nanocrystal formation and charge storage/retention performance of a tri-layer memory structure on germanium concentration and tunnel oxide thickness

    المؤلفون: Teo, L.W., Ho, Van Tai, Tay, M.S., Choi, Wee Kiong, Chim, Wai Kin, Antoniadis, Dimitri A., Fitzgerald, Eugene A.

    مصطلحات موضوعية: Ge nanocrystal, floating gate, metal-insulator-semiconductor

    وصف الملف: 933078 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3799Test


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Charge storage in nanocrystal systems: Role of defects?

    المؤلفون: Kan, Eric Win Hong, Choi, Wee Kiong, Chim, Wai Kin, Antoniadis, Dimitri A., Fitzgerald, Eugene A.

    مصطلحات موضوعية: charge storage, defects, germanium nanocrystals, quantum dots

    وصف الملف: 469856 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3798Test


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Antiferroelectric negative capacitance from a structural phase transition in zirconia

    المؤلفون: Hoffmann, Michael, Wang, Zheng, Tasneem, Nujhat, Zubair, Ahmad, Ravindran, Prasanna Venkatesan, Tian, Mengkun, Gaskell, Anthony Arthur, Triyoso, Dina, Consiglio, Steven, Tapily, Kandabara, Clark, Robert, Hur, Jae, Pentapati, Sai Surya Kiran, Lim, Sung Kyu, Dopita, Milan, Yu, Shimeng, Chern, Winston, Kacher, Josh, Reyes-Lillo, Sebastian E, Antoniadis, Dimitri, Ravichandran, Jayakanth, Slesazeck, Stefan, Mikolajick, Thomas, Khan, Asif Islam

    المصدر: Nature Communications. 13(1)

    مصطلحات موضوعية: Macromolecular and Materials Chemistry, Chemical Sciences, Physical Sciences, Affordable and Clean Energy

    وصف الملف: application/pdf

    الوصول الحر: https://escholarship.org/uc/item/5pb6f9gjTest

    View record in eScholarship

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Formation of Nanocrystalline Germanium via Oxidation of Si₀.₅₄Ge₀.₄₆ for Memory Device Applications

    المؤلفون: Kan, Eric Win Hong, Leoy, C.C., Choi, Wee Kiong, Chim, Wai Kin, Antoniadis, Dimitri A., Fitzgerald, Eugene A.

    مصطلحات موضوعية: germanium nanocrystal, silicon-germanium, oxidation

    وصف الملف: 497248 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3722Test


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    The interfacial reaction of Ni on (100) Si₁₋xGex (x=0, 0.25) and (111) Ge

    المؤلفون: Jin, Lijuan, Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong, Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, Dimitri A., Pitera, Arthur J., Lee, Minjoo L., Chi, D.Z.

    مصطلحات موضوعية: Ni-germanosilicide, in situ annealing

    وصف الملف: 1386604 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3724Test


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    MOSFET Channel Engineering using Strained Si, SiGe, and Ge Channels

    المؤلفون: Fitzgerald, Eugene A., Lee, Minjoo L., Leitz, Christopher W., Antoniadis, Dimitri A.

    مصطلحات موضوعية: SiGe, strained silicon, germanium, MOSFETs, hole mobility

    وصف الملف: 460990 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3726Test


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Charge Storage Mechanism and Size Control of Germanium Nanocrystals in a Tri-layer Insulator Structure of a MIS Memory Device

    المؤلفون: Teo, L.W., Ho, Van Tai, Tay, M.S., Lei, Y., Choi, Wee Kiong, Chim, Wai Kin, Antoniadis, Dimitri A., Fitzgerald, Eugene A.

    مصطلحات موضوعية: Ge nanocrystal, floating gate, metal-insulator-semiconductor

    وصف الملف: 795018 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3712Test


    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    SiGe-On-Insulator (SGOI): Two Structures for CMOS Application

    المؤلفون: Cheng, Zhiyuan, Jung, Jongwan, Lee, Minjoo L., Nayfeh, Hasan, Pitera, Arthur J., Hoyt, Judy L., Fitzgerald, Eugene A., Antoniadis, Dimitri A.

    مصطلحات موضوعية: strained-Si, SiGe, SiGe-on-Insulator, SGOI, strained-Si on SGOI, SSOI, SOI, dual-channel, surface channel, MOSFET, mobility, bonding, etch-back

    وصف الملف: 432824 bytes; application/pdf

    العلاقة: Advanced Materials for Micro- and Nano-Systems (AMMNS)

    الإتاحة: http://hdl.handle.net/1721.1/3671Test


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث