المؤلفون: Cho, Hyun Kyong, Kang, J. H., Sulmoni, Luca, Kunkel, K., Rass, Jens, Susilo, Norman, Wernicke, Tim, Einfeldt, S., Kneissl, Markus

مصطلحات موضوعية: 530 Physik, light emitting diode, plasma etch, ohmic contact, low resistance n-contact, high Al mole fraction n-AlGaN, operating voltage

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/16377Test; http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-15153Test

الإتاحة: https://doi.org/10.14279/depositonce-15153Test
https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/16377Test

المؤلفون: Cho, Hyun Kyong, Mogilatenko, A., Susilo, Norman, Ostermay, I., Seifert, S., Wernicke, T., Kneissl, Michael, Einfeldt, Sven

مصطلحات موضوعية: 530 Physik, ohmic contact, n-AlGaN, high Al mole fraction, UV LED, Au rich phase, AlN

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/17408Test; http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-16189Test

الإتاحة: https://doi.org/10.14279/depositonce-16189Test
https://depositonce.tu-berlin.de/handle/11303/17408Test

المؤلفون: Catherine Bougerol (1367025), Eric Robin (1511527), Enrico Di Russo (9505214), Edith Bellet-Amalric (9992640), Vincent Grenier (1540315), Akhil Ajay (4497991), Lorenzo Rigutti (1735249), Eva Monroy (2627260)

مصطلحات موضوعية: Medicine, Cell Biology, Neuroscience, Biotechnology, Ecology, Developmental Biology, Plant Biology, Virology, Space Science, Environmental Sciences not elsewhere classified, Chemical Sciences not elsewhere classified, Physical Sciences not elsewhere classified, 0.4 display μ m-size Ge crystallites, doping level, Ge DX centers, Ge segregation phenomena, n-type AlGaN dopant, Al mole fraction, Ge-doped AlGaN light-emitting diodes, Ga mole fraction

العلاقة: https://figshare.com/articles/journal_contribution/Solubility_Limit_of_Ge_Dopants_in_AlGaN_A_Chemical_and_Microstructural_Investigation_Down_to_the_Nanoscale/13583070Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1021/acsami.0c19174.s001Test

المؤلفون: Charmi, M.

مصطلحات موضوعية: зсув зони провідності, нерівноважна функція Гріна, резонансний тунельний діод, молярна частка Al, квантовий транспорт, conduction band offset, non-equilibrium Green function (NEGF), resonant Tunneling Diode (RTD), Al mole fraction, quantum transport

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87651Test

الإتاحة: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87651Test

المؤلفون: Charmi, M.

مصطلحات موضوعية: Al mole fraction, квантовий транспорт, resonant Tunneling Diode (RTD), нерівноважна функція Гріна, зсув зони провідності, резонансний тунельний діод, non-equilibrium Green function (NEGF), молярна частка Al, quantum transport, conduction band offset

وصف الملف: application/pdf

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::46b5b2370264c16ce3e8777db69e4849Test
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87651Test

المؤلفون: Choi, Kyoung Jin, Han, SY, Lee, JL, Moon, JK, Park, M, Kim, H

مصطلحات موضوعية: High Al mole fraction, Ohmic contact, PHEMT

العلاقة: JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, v.43, no.2, pp.253 - 258; https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/7689Test; 1126; 17443; 2-s2.0-0042416658; 000184810800014

الإتاحة: https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/7689Test

المؤلفون: Choi, KJ, Han, SY, Lee, JL, Moon, JK, Park, M, Kim, H

المساهمون: 신소재공학과, 10105416, Lee, JL

مصطلحات موضوعية: ohmic contact, PHEMT, high Al mole fraction, GAAS POWER MESFET

العلاقة: JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY; 43; 253; 258; SCI급, SCOPUS 등재논문; SCI; Physics, Multidisciplinary; Physics; 2003-OAK-0000003603; https://oasis.postech.ac.kr/handle/2014.oak/18396Test; 3730; JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, v.43, no.2, pp.253 - 258; 000184810800014; 2-s2.0-0042416658

الإتاحة: https://oasis.postech.ac.kr/handle/2014.oak/18396Test

المؤلفون: Woo Jin Ha, Sameer Chhajed, Chavan Ashonita, Jae-Hoon Lee, Ki-Se Kim, Kim, J.K.

المساهمون: Chavan Ashonita, Kim, J.K.

مصطلحات موضوعية: FIELD-EFFECT TRANSISTORS, GAN, HETEROSTRUCTURES, POLARIZATION, MOBILITY, AlGaN/GaN heterostructures, Schottky barrier height, Al mole fraction, reverse leakage current

العلاقة: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; Crystallography; Physics, Applied; Physics; https://oasis.postech.ac.kr/handle/2014.oak/35930Test; 13916; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, v.9, no.3-4, pp.851 - 854; 000306521600108; 2-s2.0-84863352376

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/PSSC.201100487Test
https://oasis.postech.ac.kr/handle/2014.oak/35930Test

المؤلفون: 陳緯守, Chen, Wei-Shou

المساهمون: 微電子工程研究所碩博士班, 蘇炎坤, Su, Yan-Kuin

مصطلحات موضوعية: GaN, MODFET, Al mole fraction, Piezoelectric polarization, 氮化鎵, 調變摻雜場效電晶體, 鋁含量, 壓電極化

وصف الملف: 145 bytes; application/octet-stream

العلاقة: http://ir.lib.ncku.edu.tw/handle/987654321/29406Test; http://ir.lib.ncku.edu.tw/bitstream/987654321/29406/1Test/

الإتاحة: http://ir.lib.ncku.edu.tw/handle/987654321/29406Test
http://ir.lib.ncku.edu.tw/bitstream/987654321/29406/1Test/