دورية أكاديمية
Investigation of dislocations in 4H-SiC by g•b contrast analysis using TEM
| العنوان: | Investigation of dislocations in 4H-SiC by g•b contrast analysis using TEM / TEM g • b 解析による 4H-SiC 中転位欠陥の調査 |
|---|---|
| المؤلفون: | Masao Yoshikawa, Takahito Mori, Tomonori Hiki, 吉川 政夫, 森 貴仁, 比氣 朋典 |
| المصدر: | Journal of Surface Analysis. 2023, 29(3):205 |
| قاعدة البيانات: | J-STAGE |
| تدمد: | 13411756 13478400 |
|---|---|
| DOI: | 10.1384/jsa.29.205 |