يعرض 1 - 8 نتائج من 8 نتيجة بحث عن '"Padilla, Jose"', وقت الاستعلام: 0.89s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    A Novel Reconfigurable sub-0.25V Digital Logic Family Using the Electron-Hole Bilayer TFET

    المؤلفون: Alper, Cem, Padilla, Jose Luis, Palestri, Pierpaolo, Ionescu, Adrian M.

    المساهمون: Alper, Cem, Padilla, Jose Lui, Palestri, Pierpaolo, Ionescu, Adrian M.

    مصطلحات موضوعية: 2D-2D tunneling, Band-to-band tunneling, Integrated circuit modeling, Inverter, logic circuits, Logic gate, quantum mechanical simulation, Switche, TFET, Tunnel Field-Effect Transistor (TFET), Tunneling, Biotechnology, Electronic, Optical and Magnetic Material, Electrical and Electronic Engineering

    وصف الملف: ELETTRONICO

    العلاقة: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000423582900001; volume:6; issue:1; firstpage:2; lastpage:7; numberofpages:6; journal:IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY; info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/e2switch; http://hdl.handle.net/11390/1122250Test; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85030792314; http://ieeexplore.ieee.org/document/8053745Test/

    الإتاحة: https://doi.org/10.1109/JEDS.2017.2758018Test
    http://hdl.handle.net/11390/1122250Test
    http://ieeexplore.ieee.org/document/8053745Test/

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Multisubband Ensemble Monte Carlo Analysis of Tunneling Leakage Mechanisms in Ultrascaled FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices.

    المؤلفون: Medina-Bailon, Cristina1 cristina.medinabailon@glasgow.ac.uk, Padilla, Jose L.2, Sadi, Toufik3, Sampedro, Carlos2, Godoy, Andres2, Donetti, Luca2, Georgiev, Vihar P.1, Gamiz, Francisco2, Asenov, Asen1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2019, Vol. 66 Issue 3, p1145-1152. 8p.

    مصطلحات موضوعية: *MONTE Carlo method, ELECTRON traps, QUANTUM tunneling, LOGIC circuits, SILICON-on-insulator technology


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Source-to-Drain Tunneling Analysis in FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices by Means of Multisubband Ensemble Monte Carlo.

    المؤلفون: Medina-Bailon, Cristina, Padilla, Jose L., Sampedro, Carlos, Godoy, Andres, Donetti, Luca, Gamiz, Francisco

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Nov2018, Vol. 65 Issue 11, p4740-4746. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *MONTE Carlo method, SILICON-on-insulator technology, QUANTUM tunneling, FIELD-effect transistors, QUANTUM mechanics


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Analysis of the Heterogate Electron–Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor With Partially Doped Channels: Effects on Tunneling Distance Modulation and Occupancy Probabilities.

    المؤلفون: Padilla, Jose L.1, Medina-Bailon, Cristina2, Navarro, Carlos1, Alper, Cem2, Gamiz, Francisco1, Ionescu, Adrian Mihai2

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Jan2018, Vol. 65 Issue 1, p339-346. 8p.

    مصطلحات موضوعية: FIELD effect transistor switches, QUANTUM confinement effects, GERMANIUM, ELECTRIC fields, POISSON'S equation


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Implementation of Band-to-Band Tunneling Phenomena in a Multisubband Ensemble Monte Carlo Simulator: Application to Silicon TFETs.

    المؤلفون: Medina-Bailon, Cristina1, Padilla, Jose L.1, Sampedro, Carlos1, Alper, Cem2, Gamiz, Francisco1, Ionescu, Adrian Mihai2

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Aug2017, Vol. 64 Issue 8, p3084-3091. 8p.

    مصطلحات موضوعية: *MONTE Carlo method, TUNNEL field-effect transistors, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, ELECTRON pairs, DISCRETIZATION methods


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Quantum Mechanical Confinement in the Fin Electron–Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor.

    المؤلفون: Padilla, Jose L.1, Alper, Cem1, Gamiz, Francisco2, Ionescu, Adrian Mihai1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Aug2016, Vol. 63 Issue 8, p3320-3326. 7p.

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM mechanics, ELECTRON emission, INDUCTIVE effect, TUNNEL magnetoresistance, BAND gaps


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Switching Behavior Constraint in the Heterogate Electron–Hole Bilayer Tunnel FET: The Combined Interplay Between Quantum Confinement Effects and Asymmetric Configurations.

    المؤلفون: Padilla, Jose L.1, Alper, Cem1, Gamiz, Francisco2, Ionescu, Adrian Mihai1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Jun2016, Vol. 63 Issue 6, p2570-2576. 7p.

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM tunneling, FIELD-effect transistors, QUANTUM confinement effects, BILAYERS (Solid state physics), LOGIC circuits


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    The Electron-Hole Bilayer TFET: Dimensionality Effects and Optimization.

    المؤلفون: Alper, Cem, Palestri, Pierpaolo, Padilla, Jose Luis, Ionescu, Adrian M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Jun2016, Vol. 63 Issue 6, p2603-2609, 7p

    مصطلحات موضوعية: SOLID-state plasmas, QUANTUM tunneling, FIELD-effect transistors, POISSON'S equation, SCHRODINGER equation


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث