المؤلفون: Seoane, Natalia, Fernandez, Julian G., Kalna, Karol, Comesana, Enrique, Garcia-Loureiro, Antonio

المساهمون: Spanish Ministerio de Ciencia e Innovación, Xunta de Galicia, and the Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER) funds

المصدر: IEEE Electron Device Letters ; volume 42, issue 10, page 1416-1419 ; ISSN 0741-3106 1558-0563

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/led.2021.3109586Test
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/9548729/09527261.pdf?arnumber=9527261Test

المؤلفون: Thorpe, Ben, Langbein, Frank, Schirmer, Sophie, Kalna, Karol

مصطلحات موضوعية: QA75 Electronic computers. Computer science, QC Physics

وصف الملف: application/pdf

العلاقة: https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/122536/1/abstractIWCN2019-spin%20%281%29.pdfTest; Thorpe, Ben, Langbein, Frank https://orca.cardiff.ac.uk/view/cardiffauthors/A065195M.htmlTest orcid:0000-0002-3379-0323 orcid:0000-0002-3379-0323, Schirmer, Sophie and Kalna, Karol 2019. Temperature affected non-equilibrium spin transport in nanoscale In0.3Ga0.7As transistors. Presented at: 20th International Workshop on Computational Nanotechnology (IWCN), Evanston, IL, USA, 20-24 May 2019. file https://orca.cardiff.ac.uk/122536/1/abstractIWCN2019-spin%20%281%29.pdfTest

الإتاحة: https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/122536Test/
https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/122536/1/abstractIWCN2019-spin%20%281%29.pdfTest

المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali

المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.

مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/TED.2020.2980329Test
https://hal.science/hal-03142223Test

المؤلفون: Forster, Simon, Chaussende, Didier, Kalna, Karol

المصدر: ACS Applied Electronic Materials ; volume 2, issue 9, page 3001-3007 ; ISSN 2637-6113 2637-6113

مصطلحات موضوعية: Materials Chemistry, Electrochemistry, Electronic, Optical and Magnetic Materials

الإتاحة: https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00614Test

المؤلفون: Soban, Zbynek, Voves, Jan, Kalna, Karol

المصدر: Journal of Physics: Conference Series ; volume 193, page 012128 ; ISSN 1742-6596

الإتاحة: https://doi.org/10.1088/1742-6596/193/1/012128Test
http://stacks.iop.org/1742-6596/193/i=1/a=012128/pdfTest

المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Boucherta, Mohammed, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS)

المصدر: 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
https://hal.science/hal-02310028Test
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩

مصطلحات موضوعية: Degradation, Transient analysis, HEMTs, MODFETs, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Logic gates, [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Spain

الوقت: Madrid, Spain

العلاقة: hal-02310028; https://hal.science/hal-02310028Test

الإتاحة: https://doi.org/10.23919/EuMIC.2018.8539935Test
https://hal.science/hal-02310028Test

المؤلفون: Seoane, Natalia, Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Espiñeira, Gabriel, Kalna, Karol, García-Loureiro, Antonio

مصطلحات موضوعية: Article, art, geo

العلاقة: http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6695869Test/

الإتاحة: http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6695869Test/

المؤلفون: Adenekan, Olujide A., Holland, Paul, Kalna, Karol

المصدر: Microelectronics Reliability ; volume 99, page 213-221 ; ISSN 0026-2714

مصطلحات موضوعية: Electrical and Electronic Engineering, Surfaces, Coatings and Films, Safety, Risk, Reliability and Quality, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials

الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2019.04.008Test
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0026271418311685?httpAccept=text/xmlTest
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0026271418311685?httpAccept=text/plainTest

المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Hassan, Maher, Soltani, Ali

المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02310067Test
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgium

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Leuven, Belgium

العلاقة: hal-02310067; https://hal.science/hal-02310067Test

الإتاحة: https://hal.science/hal-02310067Test

المؤلفون: Martinez, Antonio, Aldegunde, Manuel, Kalna, Karol

المصدر: Nanoelectronic Device Applications Handbook ; page 717-726 ; ISBN 9781315216089

الإتاحة: https://doi.org/10.1201/b15035-57Test