المؤلفون: Manchon, Benoit, Coffineau, Dorian, Segantini, Greta, Baboux, Nicolas, Rojo Romeo, Pedro, Barhoumi, Rabei, Cañero Infante, Ingrid, Alibart, Fabien, Vilquin, Bertrand, Drouin, Dominique, Deleruyelle, Damien

المساهمون: INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Université de Lyon, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), RMIT University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN (NCM - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), IEEE UFFC, European Project: 780302,EC

المصدر: ISAF-PFM-ECAPD 2022 ; https://hal.science/hal-03719069Test ; ISAF-PFM-ECAPD 2022, IEEE UFFC, Jun 2022, Tours, France ; https://2022.ieee-isaf.orgTest/

مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry

جغرافية الموضوع: Tours, France

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//780302/EU/Energy Efficient Embedded Non-volatile Memory Logic based on Ferroelectric Hf(Zr)O2/3eFERRO; hal-03719069; https://hal.science/hal-03719069Test

الإتاحة: https://hal.science/hal-03719069Test

المؤلفون: Yon, Victor, Amirsoleimani, Amirali, Alibart, Fabien, Melko, Roger, Drouin, Dominique, Beilliard, Yann

المساهمون: Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), York University Toronto, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN (NCM - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Department of Physics and Astronomy Waterloo, University of Waterloo Waterloo, Perimeter Institute for Theoretical Physics Waterloo, This work was financed by the EU: ERC-2017-COG project IONOS (#GA 773228), the Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada (NSERC) HIDATA project 506289-2017, CHIST-ERA UNICO project, the Fond de Recherche du Québec Nature et Technologies (FRQNT), and the Canada First Research Excellence Fund (CFREF). RM is supported by NSERC, the Canada Research Chair program, and the Perimeter Institute for Theoretical Physics. Research at Perimeter Institute is supported in part by the Government of Canada through the Department of Innovation, Science and Economic Development Canada and by the Province of Ontario through the Ministry of Economic Development, Job Creation and Trade., ANR-19-CHR3-0006,UNICO,Unsupervised spiking neural networks with analog memristive devices for edge computing(2019), European Project: 773228,H2020,ERC-2017-COG,IONOS(2018)

المصدر: Frontiers in Electronics ; https://hal.science/hal-03679671Test ; Frontiers in Electronics, 2022, 3, pp.825077. ⟨10.3389/felec.2022.825077⟩

مصطلحات موضوعية: resistive switching memories, memristor, in-memory computing, hardware non-idealities, artificial neural networks, bayesian neural networks, probabilistic computing, [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//773228/EU/An iono-electronic neuromorphic interface for communication with living systems/IONOS; hal-03679671; https://hal.science/hal-03679671Test; https://hal.science/hal-03679671/documentTest; https://hal.science/hal-03679671/file/Yon_2022_felec-03-825077.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.3389/felec.2022.825077Test
https://hal.science/hal-03679671Test
https://hal.science/hal-03679671/documentTest
https://hal.science/hal-03679671/file/Yon_2022_felec-03-825077.pdfTest

المؤلفون: Manchon, Benoît, Segantini, Greta, Baboux, Nicolas, Rojo Romeo, Pedro, Barhoumi, Rabei, Drouin, Dominique, Ingrid C., Infante, Alibart, F., Vilquin, Bertrand, Deleruyelle, Damien

المساهمون: Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN (NCM - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), This work was undertaken on the NanoLyon technology platform and received funding from the European Union's Horizon 2020 research and innovation programme under Grant Agreement no. 780302 (3eFERRO), under the Marie Sklodowska-Curie Grant Agreement no. 801512 (i3E ECLAUSion), and French Public Authorities through the NANO2022 program., European Project: ECLAUSion, European Project: 780302,EC

المصدر: ISSN: 1862-6254.

مصطلحات موضوعية: aluminum, ferroelectric HZO, ferroelectric tunnel junction, thin films, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//780302/EU/Energy Efficient Embedded Non-volatile Memory Logic based on Ferroelectric Hf(Zr)O2/3eFERRO; hal-03609773; https://hal.science/hal-03609773Test; https://hal.science/hal-03609773/documentTest; https://hal.science/hal-03609773/file/pssr202100585_to_HAL.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/pssr.202100585Test
https://hal.science/hal-03609773Test
https://hal.science/hal-03609773/documentTest
https://hal.science/hal-03609773/file/pssr202100585_to_HAL.pdfTest

المؤلفون: El Mesoudy, Abdelouadoud, Lamri, Gwénaëlle, Dawant, Raphaël, Arias-Zapata, Javier, Gliech, Pierre, Beilliard, Yann, Ecoffey, Serge, Ruediger, Andreas, Alibart, Fabien, Drouin, Dominique

المساهمون: Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Institut National de la Recherche Scientifique Québec (INRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN (NCM - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), This work was supported by the Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada (NSERC) HIDATA project 506289-2017 and ERC-CoG IONOS (# GA 773228). A.R. gratefully acknowledges financial support through an NSERC discovery grant (RGPIN-2019-07023). This work was also supported by the CHIST-ERA UNICO project and Fond de Recherche du Québec Nature et Technologies (FRQNT). We would like to acknowledge Abdelatif Jaouad, Julien Pezard, and 3IT.Nano platform for their valuable support with device fabrication. We would also like to thank Yuanyang Guo for her assistance with electrical characterisation., ANR-19-CHR3-0006,UNICO,Unsupervised spiking neural networks with analog memristive devices for edge computing(2019), European Project: 773228,H2020,ERC-2017-COG,IONOS(2018)

المصدر: ISSN: 0167-9317.

مصطلحات موضوعية: Resistive switching, Artificial synapse, Memristor crossbars, CMOS-compatible, Damascene, [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/arxiv/2106.11808; info:eu-repo/grantAgreement//773228/EU/An iono-electronic neuromorphic interface for communication with living systems/IONOS; hal-03679659; https://hal.science/hal-03679659Test; https://hal.science/hal-03679659/documentTest; https://hal.science/hal-03679659/file/El%20Mesoudy_2106.11808.pdfTest; ARXIV: 2106.11808

الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.mee.2021.111706Test
https://hal.science/hal-03679659Test
https://hal.science/hal-03679659/documentTest
https://hal.science/hal-03679659/file/El%20Mesoudy_2106.11808.pdfTest

المؤلفون: Vandier, Quentin, Fremont, Helene, Drouin, Dominique

المساهمون: Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: ISSN: 2156-3950 ; IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology ; https://hal.science/hal-03885127Test ; IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, 2022, 12 (11), pp.1740-1747. ⟨10.1109/tcpmt.2022.3226139⟩.

مصطلحات موضوعية: Flip chip plastic ball grid array (FC-PBGA), long-term high-humidity storage, moisture diffusion, relative humidity (RH) sensor, [SPI]Engineering Sciences [physics]

العلاقة: hal-03885127; https://hal.science/hal-03885127Test; https://hal.science/hal-03885127/documentTest; https://hal.science/hal-03885127/file/IMS_IEEETCPMT_2022_Vandier.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.1109/tcpmt.2022.3226139Test
https://hal.science/hal-03885127Test
https://hal.science/hal-03885127/documentTest
https://hal.science/hal-03885127/file/IMS_IEEETCPMT_2022_Vandier.pdfTest

المؤلفون: Harvey-Collard, Patrick, Drouin, Dominique, Pioro-Ladrière, Michel

المصدر: Appl. Phys. Lett. 104, 193505 (2014)

مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics

الوصول الحر: http://arxiv.org/abs/1405.1479Test

المؤلفون: Amirsoleimani, Amirali, Liu, Tony, Alibart, Fabien, Eccofey, Serge, Chang, Yao-Feng, Drouin, Dominique, Genov, Roman

المصدر: https://www.intechopen.com/books/10501Test.

مصطلحات موضوعية: Memristor - An Emerging Device for Post-Moore’s Computing and Applications

العلاقة: https://mts.intechopen.com/articles/show/title/mitigating-state-drift-in-memristor-crossbar-arrays-for-vector-matrix-multiplicationTest

الإتاحة: https://doi.org/10.5772/intechopen.100246Test
https://mts.intechopen.com/articles/show/title/mitigating-state-drift-in-memristor-crossbar-arrays-for-vector-matrix-multiplicationTest

المؤلفون: Manchon, Benoit, Segantini, Greta, Rojo Romeo, Pedro, Baboux, Nicolas, Barhoumi, Rabei, Ingrid C., Infante, Alibart, F., Vilquin, Bertrand, Drouin, Dominique, Deleruyelle, D.

المساهمون: Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Materials Research Society, European Project: ECLAUSion

المصدر: EMRS 2021 Fall Meeting ; https://hal.science/hal-03354311Test ; EMRS 2021 Fall Meeting, European Materials Research Society, Sep 2021, Warsaw, Poland

مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry

جغرافية الموضوع: Warsaw, Poland

العلاقة: hal-03354311; https://hal.science/hal-03354311Test

الإتاحة: https://hal.science/hal-03354311Test

المؤلفون: Harvey-Collard, Patrick, Jaouad, Abdelatif, Drouin, Dominique, Pioro-Ladrière, Michel

المصدر: Microelectronic Engineering 110, 408 (2013)

مصطلحات موضوعية: Physics - Plasma Physics, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics

الوصول الحر: http://arxiv.org/abs/1305.0589Test

المؤلفون: Drouin, Dominique

مرشدي الرسالة: Beauvais, Jacques, Gauvin, Raynald

الإتاحة: http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/1685Test