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1مؤتمرA Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AlGaN/GaN Based Devices
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Hassan, Maher, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02310067Test
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgiumمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-02310067; https://hal.science/hal-02310067Test
الإتاحة: https://hal.science/hal-02310067Test
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2مؤتمرA Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AlGaN/GaN Based Devices
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Hassan, Maher, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02310067Test
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgiumمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-02310067; https://hal.science/hal-02310067Test
الإتاحة: https://hal.science/hal-02310067Test
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3مؤتمرA Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AlGaN/GaN Based Devices
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Hassan, Maher, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02310067Test
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgiumمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-02310067; https://hal.science/hal-02310067Test
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