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1دورية أكاديمية
المؤلفون: Prem Pal, Veerla Swarnalatha, Avvaru Venkata Narasimha Rao, Ashok Kumar Pandey, Hiroshi Tanaka, Kazuo Sato
المصدر: Micro and Nano Systems Letters, Vol 9, Iss 1, Pp 1-59 (2021)
مصطلحات موضوعية: Wet anisotropic etching, Silicon, Micromachining, TMAH, KOH, NH2OH, Technology
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2213-9621Test
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: Das Swapan, Ghosh Chandan K., Sarkar Chandan K., Roy Sunipa
المصدر: Nanotechnology Reviews, Vol 7, Iss 6, Pp 497-508 (2018)
مصطلحات موضوعية: dmf, electrochemical exfoliation, graphene nanosheets, thin film, tmah, Technology, Chemical technology, TP1-1185, Physical and theoretical chemistry, QD450-801
وصف الملف: electronic resource
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3دورية أكاديمية
المؤلفون: Nedal Al Taradeh, Eric Frayssinet, Christophe Rodriguez, Frederic Morancho, Camille Sonneville, Luong-Viet Phung, Ali Soltani, Florian Tendille, Yvon Cordier, Hassan Maher
المصدر: Energies, Vol 14, Iss 4241, p 4241 (2021)
مصطلحات موضوعية: vertical GaN FinFET, GaN etching, UV light, Tetramethylammonium hydroxide (TMAH), ICP-RIE dry etching, channel sidewall engineering, Technology
العلاقة: https://www.mdpi.com/1996-1073/14/14/4241Test; https://doaj.org/toc/1996-1073Test; https://doaj.org/article/8b2a06d400e343b6992add83408b201aTest
الإتاحة: https://doi.org/10.3390/en14144241Test
https://doaj.org/article/8b2a06d400e343b6992add83408b201aTest -
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Huan Yuan, Min Deng, Bi Chen, Weifeng Chen, Zhongyang Mao
المصدر: Materials, Vol 13, Iss 2, p 308 (2020)
مصطلحات موضوعية: alkali carbonate reaction (acr), dolomitization, tmah, asrgel, expansion, crack, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85
العلاقة: https://www.mdpi.com/1996-1944/13/2/308Test; https://doaj.org/toc/1996-1944Test; https://doaj.org/article/08cca4eb0bd04a91aad29e9de7851afbTest
الإتاحة: https://doi.org/10.3390/ma13020308Test
https://doaj.org/article/08cca4eb0bd04a91aad29e9de7851afbTest -
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Ruchi Deshmukh, Anurag Mehra, Rochish Thaokar
المصدر: Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 8, Iss 1, Pp 494-505 (2017)
مصطلحات موضوعية: Brownian motion, cobalt nanoplates, electron microscopy, hierarchical nanostructures, magnetic moment, tetramethylazanium hydroxide (TMAH), Technology, Chemical technology, TP1-1185, Science, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
العلاقة: https://doaj.org/toc/2190-4286Test
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6دورية أكاديمية
المؤلفون: Da Tian Chang, Daeryong Park, Jun-Jie Zhu, Huan-Jung Fan
المصدر: Applied Sciences, Vol 9, Iss 21, p 4578 (2019)
مصطلحات موضوعية: tmah, mea, mnce-gac, high-tech, wastewater, Technology, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Biology (General), QH301-705.5, Physics, QC1-999, Chemistry, QD1-999
العلاقة: https://www.mdpi.com/2076-3417/9/21/4578Test; https://doaj.org/toc/2076-3417Test; https://doaj.org/article/cb7960e02b974171a4f46ea108f6ab8aTest
الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app9214578Test
https://doaj.org/article/cb7960e02b974171a4f46ea108f6ab8aTest -
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Xiaoxiao Chen, Bin Yang, Zhongyang Mao, Min Deng
المصدر: Materials, Vol 12, Iss 8, p 1228 (2019)
مصطلحات موضوعية: alkali–carbonate reaction, expansion, crack, TMAH, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85
العلاقة: https://www.mdpi.com/1996-1944/12/8/1228Test; https://doaj.org/toc/1996-1944Test; https://doaj.org/article/5ff4b71f50034eb59149768c7f9d233eTest
الإتاحة: https://doi.org/10.3390/ma12081228Test
https://doaj.org/article/5ff4b71f50034eb59149768c7f9d233eTest -
8دورية أكاديمية
المؤلفون: J. Klos, B. Sun, J. Beyer, S. Kindel, L. Hellmich, J. Knoch, L. R. Schreiber
المصدر: Applied Sciences, Vol 9, Iss 18, p 3823 (2019)
مصطلحات موضوعية: electron spin qubit, silicon nano-ridge, TMAH-etching, MOS structure, interface defects, self-aligned spacer process, device simulation, Technology, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Biology (General), QH301-705.5, Physics, QC1-999, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
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9دورية أكاديمية
المصدر: Applied Sciences, Vol 8, Iss 9, p 1553 (2018)
مصطلحات موضوعية: silicon nanowire, triangular cross section, simulation, experiment, TMAH, low temperature, mobility, Technology, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Biology (General), QH301-705.5, Physics, QC1-999, Chemistry, QD1-999
العلاقة: http://www.mdpi.com/2076-3417/8/9/1553Test; https://doaj.org/toc/2076-3417Test; https://doaj.org/article/0132c461d1af4ce787572fe69f7759efTest
الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app8091553Test
https://doaj.org/article/0132c461d1af4ce787572fe69f7759efTest -
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المؤلفون: Ali Soltani, Nedal Al Taradeh, Yvon Cordier, Camille Sonneville, Eric Frayssinet, Florian Tendille, Luong-Viet Phung, Christophe Rodriguez, Hassan Maher, Frédéric Morancho
المساهمون: Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), SAINT-GOBAIN, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Saint-Gobain
المصدر: Energies
Energies, MDPI, 2021, 14 (14), pp.4241. ⟨10.3390/en14144241⟩
Energies, Vol 14, Iss 4241, p 4241 (2021)
Energies, 2021, 14 (14), pp.4241. ⟨10.3390/en14144241⟩
Volume 14
Issue 14
Pages: 4241مصطلحات موضوعية: Technology, Control and Optimization, Materials science, Energy Engineering and Power Technology, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Fin (extended surface), [SPI]Engineering Sciences [physics], Etching (microfabrication), 0103 physical sciences, Surface roughness, H vertical GaN FinFET, [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, Electrical and Electronic Engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Engineering (miscellaneous), 010302 applied physics, Cuboid, Tetramethylammonium hydroxide (TMAH), Renewable Energy, Sustainability and the Environment, Plane (geometry), Etching rate, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, UV light, 021001 nanoscience & nanotechnology, Characterization (materials science), Crystallography, vertical GaN FinFET, ICP-RIE dry etching, channel sidewall engineering, GaN etching, 0210 nano-technology, Crystal plane, Energy (miscellaneous)
وصف الملف: application/pdf
الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::95e35a9d1c04a0bc338bc10cd69163e4Test
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03325998Test
النص الكامل