يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.82s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors.

    المؤلفون: Seoane, Natalia1 natalia.seoane@usc.es, Kalna, Karol2, Cartoixa, Xavier3, Garcia-Loureiro, Antonio1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2022, Vol. 69 Issue 9, p5276-5282. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *COMPUTER-aided design, FIELD-effect transistors, SILICON nanowires, NANOWIRES, QUANTUM gates, SEMICONDUCTOR devices


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology.

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Chan, Kah Hou, Soltani, Ali, Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2016, Vol. 63 Issue 10, p3893-3899, 7p

    مصطلحات موضوعية: COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, QUANTUM wells, MONTE Carlo method, DRIFT diffusion models, ELECTRIC discharges


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors.

    المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p933-939, 7p

    مصطلحات موضوعية: ANISOTROPY, MONTE Carlo method, SCHRODINGER equation, SILICON-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Comparison of Fin-Edge Roughness and Metal Grain Work Function Variability in InGaAs and Si FinFETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Elmessary, Muhammad A., Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p1209-1216, 8p

    مصطلحات موضوعية: SURFACE roughness, FIELD-effect transistors, INTRINSIC semiconductors, INDIUM gallium arsenide, FINITE element method


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    Impact of phonon scattering in a Si GAA nanowire FET with a single donor in the channel.

    المؤلفون: Martinez, Antonio, Kalna, Karol, Aldegunde, Manuel

    المصدر: 2011 11th IEEE International Conference on Nanotechnology; 1/ 1/2011, p1348-1351, 4p


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Simulation Study of Performance for a 20-nm Gate Length In\bf 0.53Ga\bf 0.47As Implant Free Quantum Well MOSFET.

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Martinez, Antonio, Kalna, Karol, Hellings, Geert, Eneman, Geert, De Meyer, Kristin, Meuris, Marc

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology; Jun2012, Vol. 11 Issue 4, p808-817, 10p


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Comments on "High Performance Inversion-Type Enhancement-Mode InGaAs MOSFET With Maximum Drain Current Exceeding 1 A/mm".

    المؤلفون: Thayne, lain G., Hill, Richard J. W., Moran, David A. J., Kalna, Karol, Asenov, Asen, Passlack, Matthias

    المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2008, Vol. 29 Issue 10, p1085-1086, 2p, 1 Graph

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, ELECTRON beam lithography, SEMICONDUCTORS, MONTE Carlo method, LOGIC devices, SILICON, STANDARDIZATION


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث