يعرض 1 - 3 نتائج من 3 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.58s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Benchmarking of Scaled InGaAs Implant-Free NanoMOSFETs.

    المؤلفون: Kalna, Karol1 kalna@elec.gla.ac.uk, Seoane, Natalia2, GarcIa-Loureiro, Antonio J.2, Thayne, lain G.1, Asenov, Asen1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2008, Vol. 55 Issue 9, p2297-2306. 10p.

    مصطلحات موضوعية: *DISTRIBUTION (Probability theory), *ANALYSIS of variance, TRANSISTORS, CALIBRATION, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, SEMICONDUCTORS, ELECTRONICS


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Effects of Self-Heating on Performance Degradation in A1GaN/GaN-Based Devices.

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Soltani, Ali, Kalna, Karol, Rousseau, Michel, De Jaeger, Jean-Claude

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2009, Vol. 56 Issue 10, p2178-2185, 8p, 1 Diagram, 8 Graphs

    مصطلحات موضوعية: GALLIUM nitride, RAMAN spectroscopy, ELECTRIC fields, ELECTRONS, SEMICONDUCTORS


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Comments on "High Performance Inversion-Type Enhancement-Mode InGaAs MOSFET With Maximum Drain Current Exceeding 1 A/mm".

    المؤلفون: Thayne, lain G., Hill, Richard J. W., Moran, David A. J., Kalna, Karol, Asenov, Asen, Passlack, Matthias

    المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2008, Vol. 29 Issue 10, p1085-1086, 2p, 1 Graph

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, ELECTRON beam lithography, SEMICONDUCTORS, MONTE Carlo method, LOGIC devices, SILICON, STANDARDIZATION


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث