يعرض 1 - 4 نتائج من 4 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.95s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors.

    المؤلفون: Seoane, Natalia1 natalia.seoane@usc.es, Kalna, Karol2, Cartoixa, Xavier3, Garcia-Loureiro, Antonio1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2022, Vol. 69 Issue 9, p5276-5282. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *COMPUTER-aided design, FIELD-effect transistors, SILICON nanowires, NANOWIRES, QUANTUM gates, SEMICONDUCTOR devices


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Impact of phonon scattering in a Si GAA nanowire FET with a single donor in the channel.

    المؤلفون: Martinez, Antonio, Kalna, Karol, Aldegunde, Manuel

    المصدر: 2011 11th IEEE International Conference on Nanotechnology; 1/ 1/2011, p1348-1351, 4p


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Quantum Corrections Based on the 2-D Schrödinger Equation for 3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Nanoscaled FinFETs.

    المؤلفون: Lindberg, Jari, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Dettmer, Wulf G., Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio Jesus, Peric, Djordje

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p423-429, 7p

    مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, SOLID modeling (Engineering), LOGIC circuits, FIELD-effect transistors, PERFORMANCE of field-effect transistors, SCHRODINGER equation, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Simulation Study of Performance for a 20-nm Gate Length In\bf 0.53Ga\bf 0.47As Implant Free Quantum Well MOSFET.

    المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Martinez, Antonio, Kalna, Karol, Hellings, Geert, Eneman, Geert, De Meyer, Kristin, Meuris, Marc

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology; Jun2012, Vol. 11 Issue 4, p808-817, 10p


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث