يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"Menzel, Stephan"', وقت الاستعلام: 0.74s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    A Physical Description of the Variability in Single‐ReRAM Devices and Hardware‐Based Neuronal Networks.

    المؤلفون: Funck, Carsten, Wiefels, Stefan, Bengel, Christopher, Schnieders, Kristoffer, Hoffmann-Eifert, Susanne, Dittmann, Regina, Menzel, Stephan

    المصدر: Advanced Intelligent Systems (2640-4567); Nov2023, Vol. 5 Issue 11, p1-14, 14p

    مصطلحات موضوعية: NEURAL circuitry, NONVOLATILE random-access memory, OXYGEN detectors, RANDOM access memory

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    A Deep Study of Resistance Switching Phenomena in TaOx ReRAM Cells: System‐Theoretic Dynamic Route Map Analysis and Experimental Verification.

    المؤلفون: Ascoli, Alon, Menzel, Stephan, Rana, Vikas, Kempen, Tim, Messaris, Ioannis, Demirkol, Ahmet Samil, Schulten, Michael, Siemon, Anne, Tetzlaff, Ronald

    المصدر: Advanced Electronic Materials; Aug2022, Vol. 8 Issue 8, p1-31, 31p

    مصطلحات موضوعية: ROAD maps, RANDOM access memory, MEMRISTORS

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Sklansky tree adder realization in 1S1R resistive switching memory architecture.

    المؤلفون: Siemon, Anne1,2 (AUTHOR) siemon@iwe.rwth-aachen.de, Menzel, Stephan2,3 (AUTHOR), Bhattacharjee, Debjyoti4 (AUTHOR), Waser, Rainer1,2,3 (AUTHOR), Chattopadhyay, Anupam4 (AUTHOR), Linn, Eike1,2 (AUTHOR)

    المصدر: European Physical Journal: Special Topics. Oct2019, Vol. 228 Issue 10, p2269-2285. 17p.

    مصطلحات موضوعية: *ARCHITECTURE, *COMPUTER storage devices, *LOGIC devices, *RANDOM access memory, *MEMORY, *BACOPA monnieri, *TREES


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOx Bilayer ReRAM Cells.

    المؤلفون: Hardtdegen, Alexander, La Torre, Camilla, Cuppers, Felix, Menzel, Stephan, Waser, Rainer, Hoffmann-Eifert, Susanne

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2018, Vol. 65 Issue 8, p3229-3236, 8p

    مصطلحات موضوعية: RANDOM access memory, ELECTRIC potential, VON Neumann algebras, THIN films, BILAYER lipid membranes


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Spectroscopic Indications of Tunnel Barrier Charging as the Switching Mechanism in Memristive Devices.

    المؤلفون: Arndt, Benedikt, Borgatti, Francesco, Offi, Francesco, Phillips, Monifa, Parreira, Pedro, Meiners, Thorsten, Menzel, Stephan, Skaja, Katharina, Panaccione, Giancarlo, MacLaren, Donald A., Waser, Rainer, Dittmann, Regina

    المصدر: Advanced Functional Materials; 12/1/2017, Vol. 27 Issue 45, pn/a-N.PAG, 13p

    مصطلحات موضوعية: MEMRISTORS, SWITCHING circuits, RANDOM access memory, HETEROSTRUCTURES, YTTRIA stabilized zirconium oxide, X-ray photoelectron spectroscopy


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Dependence of the SET switching variability on the initial state in HfO x-based ReRAM.

    المؤلفون: La Torre, Camilla, Fleck, Karsten, Starschich, Sergej, Linn, Eike, Waser, Rainer, Menzel, Stephan

    المصدر: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Feb2016, Vol. 213 Issue 2, p316-319, 4p

    مصطلحات موضوعية: TITANIUM nitride, RANDOM access memory, COMPUTER storage devices, ELECTRIC potential, SWITCHING theory


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Realization of Boolean Logic Functionality Using Redox-Based Memristive Devices.

    المؤلفون: Siemon, Anne, Breuer, Thomas, Aslam, Nabeel, Ferch, Sebastian, Kim, Wonjoo, van den Hurk, Jan, Rana, Vikas, Hoffmann‐Eifert, Susanne, Waser, Rainer, Menzel, Stephan, Linn, Eike

    المصدر: Advanced Functional Materials; Oct2015, Vol. 25 Issue 40, p6414-6423, 10p

    مصطلحات موضوعية: OXIDATION-reduction reaction, RANDOM access memory, FEASIBILITY studies, MEMRISTORS, MATHEMATICAL functions


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث