-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Nagy, Daniel, García-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2018, Vol. 65 Issue 2, p456-462, 7p
مصطلحات موضوعية: NANOSTRUCTURED materials, FINITE element method, MONTE Carlo method, DIFFUSION, DENSITY, FABRICATION (Manufacturing)
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Nagy, Daniel1, Kalna, Karol1, Elmessary, Muhammad A.1,2, Aldegunde, Manuel3, Seoane, Natalia4, Indalecio, Guillermo4, García-Loureiro, Antonio J.4, Lindberg, Jari5, Dettmer, Wulf6, Perić, Djordje6
المصدر: Solid-State Electronics. Feb2017, Vol. 128, p17-24. 8p.
مصطلحات موضوعية: *SILICON nanowires, *FINITE element method, *MONTE Carlo method
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Benbakhti, Brahim, Chan, Kah Hou, Soltani, Ali, Kalna, Karol
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2016, Vol. 63 Issue 10, p3893-3899, 7p
مصطلحات موضوعية: COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, QUANTUM wells, MONTE Carlo method, DRIFT diffusion models, ELECTRIC discharges
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p933-939, 7p
مصطلحات موضوعية: ANISOTROPY, MONTE Carlo method, SCHRODINGER equation, SILICON-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Lindberg, Jari, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Dettmer, Wulf G., Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio Jesus, Peric, Djordje
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p423-429, 7p
مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, SOLID modeling (Engineering), LOGIC circuits, FIELD-effect transistors, PERFORMANCE of field-effect transistors, SCHRODINGER equation, MATHEMATICAL models
-
6دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; May2013, Vol. 60 Issue 5, p1561-1567, 7p
مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, MONTE Carlo method, ELECTRON transport, FINITE element method, NANOELECTROMECHANICAL systems, SILICON-on-insulator technology
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Benbakhti, Brahim1 brahim@elec.gla.ac.uk, Kalna, Karol2, Chan, KahHou1, Towie, Ewan1, Hellings, Geert3, Eneman, Geert3, De Meyer, Kristin3, Meuris, Marc3, Asenov, Asen1
المصدر: Microelectronic Engineering. Apr2011, Vol. 88 Issue 4, p358-361. 4p.
مصطلحات موضوعية: *QUANTUM wells, *ELECTRIC leakage, *TRANSISTORS, *MONTE Carlo method, *COMPUTER-aided design, *THICKNESS measurement, *ELECTRIC currents, *METAL oxide semiconductor field-effect transistors
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Seoane, Natalia, Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Espiñeira, Gabriel, Kalna, Karol, García-Loureiro, Antonio
المصدر: Materials (1996-1944); 8/1/2019, Vol. 12 Issue 15, p2391-2391, 1p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, FIELD-effect transistors, THRESHOLD voltage, PERFORMANCE theory, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, NANOWIRES, SEMICONDUCTOR devices, STANDARD deviations
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Thayne, lain G., Hill, Richard J. W., Moran, David A. J., Kalna, Karol, Asenov, Asen, Passlack, Matthias
المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2008, Vol. 29 Issue 10, p1085-1086, 2p, 1 Graph
مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, ELECTRON beam lithography, SEMICONDUCTORS, MONTE Carlo method, LOGIC devices, SILICON, STANDARDIZATION