يعرض 1 - 6 نتائج من 6 نتيجة بحث عن '"Hsu J"', وقت الاستعلام: 0.83s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semi-insulating GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy.

    المؤلفون: Manfra, M. J., Weimann, N. G., Hsu, J. W. P., Pfeiffer, L. N., West, K. W., Syed, S., Stormer, H. L., Pan, W., Lang, D. V., Chu, S. N. G., Kowach, G., Sergent, A. M., Caissie, J., Molvar, K. M., Mahoney, L. J., Molnar, R. J.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 7/1/2002, Vol. 92 Issue 1, p338, 8p, 1 Black and White Photograph, 8 Graphs

    مصطلحات موضوعية: HETEROSTRUCTURES, MOLECULAR beam epitaxy, CHEMICAL templates


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Photoluminescence studies of type-II diluted magnetic semiconductor ZnMnTe/ZnSe quantum dots.

    المؤلفون: Kuo, M. C.1, Hsu, J. S.1, Shen, J. L.1, Chiu, K. C.1, Fan, W. C.2, Lin, Y. C.2, Chia, C. H.2, Chou, W. C.2, Yasar, M.3, Mallory, R.3, Petrou, A.3, Luo, H.3

    المصدر: Applied Physics Letters. 12/25/2006, Vol. 89 Issue 26, p263111. 3p. 1 Diagram, 3 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *QUANTUM dots, *MAGNETIC semiconductors, *PHOTOLUMINESCENCE, *MAGNETIC fields, *MOLECULAR beam epitaxy, *OPTICAL polarization


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Spatial distribution of yellow luminescence related deep levels in GaN.

    المؤلفون: Hsu, J. W. P.1 jwhsu@sandia.gov, Schrey, F. F.1, Ng, H. M.1

    المصدر: Applied Physics Letters. 11/17/2003, Vol. 83 Issue 20, p4172-4174. 3p. 2 Diagrams, 2 Graphs.

    مصطلحات موضوعية: *GALLIUM nitride, *LIGHT sources, *PHOTOLUMINESCENCE, *MOLECULAR beam epitaxy, *THIN films


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Dislocation and morphology control during molecular-beam epitaxy of AlGaN/GaN heterostructures directly on sapphire substrates.

    المؤلفون: Manfra, M. J., Weimann, N. G., Hsu, J. W. P., Pfeiffer, L. N., West, K. W., Chu, S. N. G.

    المصدر: Applied Physics Letters; 8/19/2002, Vol. 81 Issue 8, p1456, 3p, 2 Diagrams, 1 Chart, 1 Graph

    مصطلحات موضوعية: ELECTRON gas, MOLECULAR beam epitaxy, SAPPHIRES, HETEROSTRUCTURES


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Direct imaging of reverse-bias leakage through pure screw dislocations in GaN films grown by molecular beam epitaxy on GaN templates.

    المؤلفون: Hsu, J. W. P., Manfra, M. J., Molnar, R. J., Heying, B., Speck, J. S.

    المصدر: Applied Physics Letters. 7/1/2002, Vol. 81 Issue 1, p79. 3p. 2 Diagrams.

    مصطلحات موضوعية: *THIN films, *MOLECULAR beam epitaxy, *DISLOCATIONS in metals


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Effect of growth stoichiometry on the electrical activity of screw dislocations in GaN films grown by molecular-beam epitaxy.

    المؤلفون: Hsu, J. W. P., Manfra, M. J., Chu, S. N. G., Chen, C. H., Pfeiffer, L. N., Molnar, R. J.

    المصدر: Applied Physics Letters. 6/18/2001, Vol. 78 Issue 25, p3980. 3p. 3 Diagrams, 1 Graph.

    مصطلحات موضوعية: *SEMICONDUCTOR films, *GALLIUM nitride, *STOICHIOMETRY, *MOLECULAR beam epitaxy


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث