دورية أكاديمية

Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications
المؤلفون: Agrawal, Khushabu S., Patil, Vilas S., Mahajan, Ashok M.
المساهمون: University Grants Commission, Council for Scientific and Industrial Research
المصدر: Thin Solid Films ; volume 654, page 30-37 ; ISSN 0040-6090
بيانات النشر: Elsevier BV
سنة النشر: 2018
المجموعة: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref)
مصطلحات موضوعية: Materials Chemistry, Metals and Alloys, Surfaces, Coatings and Films, Surfaces and Interfaces, Electronic, Optical and Magnetic Materials
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1016/j.tsf.2018.03.083
الإتاحة: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.03.083Test
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0040609018302335?httpAccept=text/xmlTest
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0040609018302335?httpAccept=text/plainTest
حقوق: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0Test/
رقم الانضمام: edsbas.5133C337
قاعدة البيانات: BASE