يعرض 1 - 4 نتائج من 4 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.60s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors.

    المؤلفون: Seoane, Natalia1 natalia.seoane@usc.es, Kalna, Karol2, Cartoixa, Xavier3, Garcia-Loureiro, Antonio1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2022, Vol. 69 Issue 9, p5276-5282. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *COMPUTER-aided design, FIELD-effect transistors, SILICON nanowires, NANOWIRES, QUANTUM gates, SEMICONDUCTOR devices


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors.

    المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p933-939, 7p

    مصطلحات موضوعية: ANISOTROPY, MONTE Carlo method, SCHRODINGER equation, SILICON-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Scaled Si SOI FinFET With Different Cross Sections.

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Elmessary, Muhammad A., Aldegunde, Manuel, Valin, Raul, Martinez, Antonio, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology; Jan2015, Vol. 14 Issue 1, p93-100, 8p


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Quantum Corrections Based on the 2-D Schrödinger Equation for 3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Nanoscaled FinFETs.

    المؤلفون: Lindberg, Jari, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Dettmer, Wulf G., Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio Jesus, Peric, Djordje

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p423-429, 7p

    مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, SOLID modeling (Engineering), LOGIC circuits, FIELD-effect transistors, PERFORMANCE of field-effect transistors, SCHRODINGER equation, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث