المؤلفون: Fadil, Dalal, Passi, Vikram, Wei, Wei, Salk, Soukaina, Ben, Zhou, Di, Strupinski, Wlodek, Lemme, Max, C, Zimmer, Thomas, Pallecchi, Emiliano, Happy, Henri, Fregonese, Sebastien

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), School of Computer and Electronic Information Guangxi University, Guangxi University Nanning, Warsaw University of Technology Warsaw, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen University (RWTH), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EU Horizon2020 research and innovation programe (Graphene Flagship – Graphene Core2 785219) for financial supports. This work was partially supported by the French RENATECH network, Renatech Network, European Project: 785219,H2020,GrapheneCore2(2018)

المصدر: ISSN: 2076-3417.

مصطلحات موضوعية: graphene, microwave, MMIC, integrated circuits, active balun, 2D materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

العلاقة: info:eu-repo/grantAgreement//785219/EU/Graphene Flagship Core Project 2/GrapheneCore2; hal-02884085; https://hal.science/hal-02884085Test; https://hal.science/hal-02884085/documentTest; https://hal.science/hal-02884085/file/ApplSci_resubmission_fregonese.pdfTest; WOS: 000529252800284

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/app10062183Test
https://hal.science/hal-02884085Test
https://hal.science/hal-02884085/documentTest
https://hal.science/hal-02884085/file/ApplSci_resubmission_fregonese.pdfTest

المؤلفون: Gökkavas, Mutlu, Butun, Serkan, Caban, Piotr, Strupinski, Wlodek, Ozbay, Ekmel

المصدر: Semiconductor Science & Technology; Jun2012, Vol. 27 Issue 6, p1-5, 5p

مصطلحات موضوعية: OPTOELECTRONIC devices, INTEGRATED circuits, QUANTUM efficiency, ULTRAVIOLET radiation, EPITAXY, METALLIC films, HETEROSTRUCTURES