يعرض 1 - 9 نتائج من 9 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.66s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Simulations of Statistical Variability in n -Type FinFET, Nanowire, and Nanosheet FETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Fernandez, Julian G., Kalna, Karol, Comesana, Enrique, Garcia-Loureiro, Antonio

    المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2021, Vol. 42 Issue 10, p1416-1419, 4p

    مصطلحات موضوعية: THRESHOLD voltage, SCHRODINGER equation, NANOWIRES, FIELD-effect transistors, STANDARD deviations, SILICON nanowires


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Metal Grain Granularity Study on a Gate-All-Around Nanowire FET.

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Garcia-Loureiro, Antonio J., Elmessary, Muhammad A., Kalna, Karol, Seoane, Natalia

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2017, Vol. 64 Issue 12, p5263-5269, 7p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, FIELD-effect devices, SIMULATION methods & models, SEMICONDUCTOR devices, QUANTUM theory


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Fluctuation Sensitivity Map: A Novel Technique to Characterise and Predict Device Behaviour Under Metal Grain Work-Function Variability Effects.

    المؤلفون: Indalecio, Guillermo, Seoane, Natalia, Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Apr2017, Vol. 64 Issue 4, p1695-1701, 7p

    مصطلحات موضوعية: FET switches, INTRINSIC semiconductors, PARAMETER estimation, SENSITIVITY analysis, VORONOI polygons


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Benchmarking of FinFET, Nanosheet, and Nanowire FET Architectures for Future Technology Nodes

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Espiñeira Deus, Gabriel, Indalecio Fernández, Guillermo, García Loureiro, Antonio Jesús, Kalna, Karol, Seoane Iglesias, Natalia

    المساهمون: Universidade de Santiago de Compostela. Centro de Investigación en Tecnoloxías da Información, Universidade de Santiago de Compostela. Departamento de Electrónica e Computación

    مصطلحات موضوعية: FinFETs, Monte Carlo, Schrödinger quantum correction, Nanowire, Nanosheet

    وصف الملف: application/pdf

    العلاقة: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2020.2980925Test; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2013-2016/TIN2013-41129-P/ES/SOLUCIONES HARDWARE Y SOFTWARE PARA LA COMPUTACION DE ALTAS PRESTACIONES; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2013-2016/TIN2016-76373-P/ES; D. Nagy, G. Espiñeira, G. Indalecio, A. J. García-Loureiro, K. Kalna and N. Seoane, "Benchmarking of FinFET, Nanosheet, and Nanowire FET Architectures for Future Technology Nodes," in IEEE Access, vol. 8, pp. 53196-53202, 2020, doi:10.1109/ACCESS.2020.2980925.; http://hdl.handle.net/10347/23424Test

    الإتاحة: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2020.2980925Test
    http://hdl.handle.net/10347/23424Test

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors.

    المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p933-939, 7p

    مصطلحات موضوعية: ANISOTROPY, MONTE Carlo method, SCHRODINGER equation, SILICON-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Comparison of Fin-Edge Roughness and Metal Grain Work Function Variability in InGaAs and Si FinFETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Elmessary, Muhammad A., Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p1209-1216, 8p

    مصطلحات موضوعية: SURFACE roughness, FIELD-effect transistors, INTRINSIC semiconductors, INDIUM gallium arsenide, FINITE element method


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Scaled Si SOI FinFET With Different Cross Sections.

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Elmessary, Muhammad A., Aldegunde, Manuel, Valin, Raul, Martinez, Antonio, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology; Jan2015, Vol. 14 Issue 1, p93-100, 8p


    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Quantum Corrections Based on the 2-D Schrödinger Equation for 3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Nanoscaled FinFETs.

    المؤلفون: Lindberg, Jari, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Dettmer, Wulf G., Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio Jesus, Peric, Djordje

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p423-429, 7p

    مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, SOLID modeling (Engineering), LOGIC circuits, FIELD-effect transistors, PERFORMANCE of field-effect transistors, SCHRODINGER equation, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Random Dopant, Line-Edge Roughness, and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFET.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Comesana, Enrique, Aldegunde, Manuel, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p466-472, 7p

    مصطلحات موضوعية: HIGH temperature superconductor testing, HIGH temperature superconductors, SEMICONDUCTOR doping, DOPING agents (Chemistry), DRIFT diffusion models, ELECTRON work function, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث