يعرض 1 - 8 نتائج من 8 نتيجة بحث عن '"Kalna, Karol"', وقت الاستعلام: 0.64s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Multilevel 3-D Device Simulation Approach Applied to Deeply Scaled Nanowire Field Effect Transistors.

    المؤلفون: Seoane, Natalia1 natalia.seoane@usc.es, Kalna, Karol2, Cartoixa, Xavier3, Garcia-Loureiro, Antonio1

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2022, Vol. 69 Issue 9, p5276-5282. 7p.

    مصطلحات موضوعية: *COMPUTER-aided design, FIELD-effect transistors, SILICON nanowires, NANOWIRES, QUANTUM gates, SEMICONDUCTOR devices


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Simulations of Statistical Variability in n -Type FinFET, Nanowire, and Nanosheet FETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Fernandez, Julian G., Kalna, Karol, Comesana, Enrique, Garcia-Loureiro, Antonio

    المصدر: IEEE Electron Device Letters; Oct2021, Vol. 42 Issue 10, p1416-1419, 4p

    مصطلحات موضوعية: THRESHOLD voltage, SCHRODINGER equation, NANOWIRES, FIELD-effect transistors, STANDARD deviations, SILICON nanowires


    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Metal Grain Granularity Study on a Gate-All-Around Nanowire FET.

    المؤلفون: Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Garcia-Loureiro, Antonio J., Elmessary, Muhammad A., Kalna, Karol, Seoane, Natalia

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2017, Vol. 64 Issue 12, p5263-5269, 7p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, FIELD-effect devices, SIMULATION methods & models, SEMICONDUCTOR devices, QUANTUM theory


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors.

    المؤلفون: Elmessary, Muhammad A., Nagy, Daniel, Aldegunde, Manuel, Lindberg, Jari, Dettmer, Wulf G., Peric, Djordje, Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p933-939, 7p

    مصطلحات موضوعية: ANISOTROPY, MONTE Carlo method, SCHRODINGER equation, SILICON-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors


    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Comparison of Fin-Edge Roughness and Metal Grain Work Function Variability in InGaAs and Si FinFETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Indalecio, Guillermo, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Elmessary, Muhammad A., Garcia-Loureiro, Antonio J., Kalna, Karol

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2016, Vol. 63 Issue 3, p1209-1216, 8p

    مصطلحات موضوعية: SURFACE roughness, FIELD-effect transistors, INTRINSIC semiconductors, INDIUM gallium arsenide, FINITE element method


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Quantum Corrections Based on the 2-D Schrödinger Equation for 3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Nanoscaled FinFETs.

    المؤلفون: Lindberg, Jari, Aldegunde, Manuel, Nagy, Daniel, Dettmer, Wulf G., Kalna, Karol, Garcia-Loureiro, Antonio Jesus, Peric, Djordje

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2014, Vol. 61 Issue 2, p423-429, 7p

    مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, SOLID modeling (Engineering), LOGIC circuits, FIELD-effect transistors, PERFORMANCE of field-effect transistors, SCHRODINGER equation, MATHEMATICAL models


    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Special Issue: Nanowire Field-Effect Transistor (FET).

    المؤلفون: Seoane, Natalia, García-Loureiro, Antonio, Kalna, Karol

    المصدر: Materials (1996-1944); Apr2020, Vol. 13 Issue 8, p1845, 1p

    مصطلحات موضوعية: FIELD-effect transistors, NANOELECTROMECHANICAL systems, NANOWIRE devices, RESEARCH & development, MECHANICAL properties of condensed matter, NANOWIRES

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    A Multi-Method Simulation Toolbox to Study Performance and Variability of Nanowire FETs.

    المؤلفون: Seoane, Natalia, Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Espiñeira, Gabriel, Kalna, Karol, García-Loureiro, Antonio

    المصدر: Materials (1996-1944); 8/1/2019, Vol. 12 Issue 15, p2391-2391, 1p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs

    مصطلحات موضوعية: MONTE Carlo method, FIELD-effect transistors, THRESHOLD voltage, PERFORMANCE theory, METAL oxide semiconductor field-effect transistors, NANOWIRES, SEMICONDUCTOR devices, STANDARD deviations

    النص الكامل

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث