المؤلفون: Aziza, Hassen, Hamdioui, Said, Fieback, Moritz, Taouil, Mottaqiallah, Moreau, Mathieu, Girard, Patrick, Virazel, Arnaud, Castellani-Coulie, Karine

المساهمون: Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Delft University of Technology (TU Delft), Test and dEpendability of microelectronic integrated SysTems (TEST), Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier (LIRMM), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: ISSN: 2079-9292 ; Electronics ; https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249Test ; Electronics, 2021, 10 (18), pp.#2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩.

مصطلحات موضوعية: OxRAM multi-level cell, MLC, QLC, write termination, variability, current control, RRAM, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

العلاقة: lirmm-03377249; https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249Test; https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249/documentTest; https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249/file/electronics-10-02222.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.3390/electronics10182222Test
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249Test
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249/documentTest
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249/file/electronics-10-02222.pdfTest

المؤلفون: Aziza, Hassen, Hamdioui, Said, Fieback, Moritz, Taouil, Mottaqiallah, Moreau, Mathieu, Girard, Patrick, Virazel, Arnaud, Coulié, Karine

المساهمون: Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Aix Marseille Université (AMU), Delft University of Technology (TU Delft), Test and dEpendability of microelectronic integrated SysTems (TEST), Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier (LIRMM), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: ISSN: 0026-2714.

مصطلحات موضوعية: RRAM, OxRAM multi-level cell, MLC, QLC, write termination, variability, current control, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

العلاقة: hal-03504284; https://hal.science/hal-03504284Test; https://hal.science/hal-03504284/documentTest; https://hal.science/hal-03504284/file/electronics-10-02222-v2.pdfTest

الإتاحة: https://doi.org/10.23919/DATE51398.2021.9473967Test
https://hal.science/hal-03504284Test
https://hal.science/hal-03504284/documentTest
https://hal.science/hal-03504284/file/electronics-10-02222-v2.pdfTest

المؤلفون: Aziza, Hassan, Hamdioui, Said, Fieback, Moritz, Taouil, Mottaqiallah, Moreau, Mathieu, Girard, Patrick, Virazel, Arnaud, Coulié, K.

المساهمون: Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Delft University of Technology (TU Delft), TEST (TEST), Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier (LIRMM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Test and dEpendability of microelectronic integrated SysTems (TEST), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: Electronics
Electronics, MDPI, 2021, 10 (18), pp.#2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩
Volume 10
Issue 18
Electronics (Switzerland), 10(18)
Electronics, MDPI, 2021, 10 (18), pp.2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩
Electronics, Vol 10, Iss 2222, p 2222 (2021)
Electronics, 2021, 10 (18), pp.#2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩

مصطلحات موضوعية: TK7800-8360, variability, K RRAM, OxRAM multi-level cell, write termination, current control, Electronics, QLC, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, RRAM, MLC

وصف الملف: application/pdf

الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7dee8f37ca6eee34b96ea4829e7f76adTest
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-03377249/documentTest