يعرض 31 - 31 نتائج من 31 نتيجة بحث عن '"nano silicon"', وقت الاستعلام: 0.76s تنقيح النتائج
  1. 31
    Nano Silicon Carbide’s Stacking Faults, Deep Level’s and Grain Boundary’s Defects

    المؤلفون: G. S. Svechnikov, G. N. Mishinova, V. V. Lytvynenko, V. I. Vlaskin, H P Corp. Techno ro, Yongsan-dong , Daejeon, Korea, S. I. Vlaskina, V. E. Rodionov

    المصدر: Journal of Nano- and Electronic Physics. 10:05021-1

    مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Radiation, Materials science, Deep level, stacking fault, Stacking, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Carbide, silicon carbide, photoluminescence spectra, 0103 physical sciences, карбід кремнію, дефект упаковки, спектр фотолюмінесценції, General Materials Science, Grain boundary, політип, Composite material, polytype, 0210 nano-technology, Nano silicon

    وصف الملف: application/pdf

    الوصول الحر: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::602e66c06c646bf026c7555de1185a43Test
    https://doi.org/10.21272/jnep.10Test(5).05021


    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS — أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني — حفظ البحث