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1دورية أكاديمية
المؤلفون: Sun, Yanxiao, Niu, Gang, Ren, Wei, Zhao, Jinyan, Wang, Yankun, Wu, Heping, Jiang, Luyue, Dai, Liyan, Xie, Ya-Hong, Rojo Romeo, Pedro, Bouaziz, Jordan, Vilquin, Bertrand
المساهمون: INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN)
المصدر: ISSN: 2158-3226 ; AIP Advances ; https://hal.science/hal-03269195Test ; AIP Advances, 2021, 11 (6), pp.065229. ⟨10.1063/5.0055574⟩.
مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
العلاقة: hal-03269195; https://hal.science/hal-03269195Test; https://hal.science/hal-03269195/documentTest; https://hal.science/hal-03269195/file/Impact%20of%20the%20Channel%20Length%20on%20Molybdenum%20Disulfide%20Field%20Effect%20Transistors%20with%20Hafnia-based%20High-k%20Dielectric%20Gate.pdfTest
الإتاحة: https://doi.org/10.1063/5.0055574Test
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: Sun, Yanxiao, Niu, Gang, Ren, Wei, Zhao, Jinyan, Wang, Yankun, Wu, Heping, Jiang, Luyue, Dai, Liyan, Xie, Ya-Hong, Rojo Romeo, Pedro, Bouaziz, Jordan, Vilquin, Bertrand
المساهمون: INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN)
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3دورية أكاديمية
المؤلفون: Sun, Yanxiao, Niu, Gang, Ren, Wei, Zhao, Jinyan, Wang, Yankun, Wu, Heping, Jiang, Luyue, Dai, Liyan, Xie, Ya-Hong, Rojo Romeo, Pedro, Bouaziz, Jordan, Vilquin, Bertrand
المساهمون: INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN)
المصدر: ISSN: 2158-3226 ; AIP Advances ; https://hal.science/hal-03269195Test ; AIP Advances, 2021, 11 (6), pp.065229. ⟨10.1063/5.0055574⟩.
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4دورية أكاديمية
المؤلفون: Sun, Yanxiao, Niu, Gang, Ren, Wei, Zhao, Jinyan, Wang, Yankun, Wu, Heping, Jiang, Luyue, Dai, Liyan, Xie, Ya-Hong, Rojo Romeo, Pedro, Bouaziz, Jordan, Vilquin, Bertrand
المساهمون: INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN)
المصدر: ISSN: 2158-3226 ; AIP Advances ; https://hal.science/hal-03269195Test ; AIP Advances, 2021, 11 (6), pp.065229. ⟨10.1063/5.0055574⟩.
مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
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المؤلفون: Sun, Yanxiao, Niu, Gang, Ren, Wei, Zhao, Jinyan, Wang, Yankun, Wu, Heping, Jiang, Luyue, Dai, Liyan, Xie, Ya-Hong, Rojo Romeo, Pedro, Bouaziz, Jordan, Vilquin, Bertrand
المساهمون: INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: ISSN: 2158-3226 ; AIP Advances ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03269195Test ; AIP Advances, American Institute of Physics- AIP Publishing LLC, 2021, 11 (6), pp.065229. ⟨10.1063/5.0055574⟩.
مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
العلاقة: hal-03269195; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03269195Test; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03269195/documentTest; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03269195/file/Impact%20of%20the%20Channel%20Length%20on%20Molybdenum%20Disulfide%20Field%20Effect%20Transistors%20with%20Hafnia-based%20High-k%20Dielectric%20Gate.pdfTest
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