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    دورية أكاديمية
    Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate

    المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Mattalah, Maghnia, Zhang, Wei, Bouchilaoun, Meriem, Boucherta, Mohammed, Kalna, Karol, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

    المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Swansea University

    المصدر: ISSN: 2162-8769 ; ECS Journal of Solid State Science and Technology ; https://hal.science/hal-01914382Test ; ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040 - S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

    العلاقة: hal-01914382; https://hal.science/hal-01914382Test; https://hal.science/hal-01914382/documentTest; https://hal.science/hal-01914382/file/Duffy_2017_ECS_J._Solid_State_Sci._Technol._6_S3040.pdfTest

    الإتاحة: https://doi.org/10.1149/2.0111711jssTest
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    Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate

    المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Mattalah, Maghnia, Zhang, Wei, Bouchilaoun, Meriem, Boucherta, Mohammed, Kalna, Karol, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

    المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Swansea University

    المصدر: ISSN: 2162-8769 ; ECS Journal of Solid State Science and Technology ; https://hal.science/hal-01914382Test ; ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040 - S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

    العلاقة: hal-01914382; https://hal.science/hal-01914382Test; https://hal.science/hal-01914382/documentTest; https://hal.science/hal-01914382/file/Duffy_2017_ECS_J._Solid_State_Sci._Technol._6_S3040.pdfTest

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    Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate

    المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Mattalah, Maghnia, Zhang, Wei, Bouchilaoun, Meriem, Boucherta, Mohammed, Kalna, Karol, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

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    المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Mattalah, Maghnia, Zhang, Wei, Bouchilaoun, Meriem, Boucherta, Mohammed, Kalna, Karol, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

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    المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Mattalah, Maghnia, Zhang, Wei, Bouchilaoun, Meriem, Boucherta, Mohammed, Kalna, Karol, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali

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    المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Swansea University

    المصدر: ISSN: 2162-8769 ; ECS Journal of Solid State Science and Technology ; https://hal.science/hal-01914382Test ; ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040 - S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

    العلاقة: hal-01914382; https://hal.science/hal-01914382Test; https://hal.science/hal-01914382/documentTest; https://hal.science/hal-01914382/file/Duffy_2017_ECS_J._Solid_State_Sci._Technol._6_S3040.pdfTest

    الإتاحة: https://doi.org/10.1149/2.0111711jssTest
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  9. 9
    دورية أكاديمية
    Monte Carlo Simulations of Electron Transport Characteristics of Ternary Carbide Al4SiC4

    المؤلفون: Forster, Simon, Chaussende, Didier, Kalna, Karol

    المساهمون: Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Swansea University

    المصدر: ISSN: 2574-0962 ; ACS Applied Energy Materials ; https://hal.science/hal-02366910Test ; ACS Applied Energy Materials, 2018, 2 (1), pp.715-720. ⟨10.1021/acsaem.8b01767⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

    العلاقة: hal-02366910; https://hal.science/hal-02366910Test

    الإتاحة: https://doi.org/10.1021/acsaem.8b01767Test
    https://hal.science/hal-02366910Test

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  10. 10
    دورية أكاديمية
    Monte Carlo Simulations of Electron Transport Characteristics of Ternary Carbide Al4SiC4

    المؤلفون: Forster, Simon, Chaussende, Didier, Kalna, Karol

    المساهمون: Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Swansea University

    المصدر: ISSN: 2574-0962 ; ACS Applied Energy Materials ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02366910Test ; ACS Applied Energy Materials, ACS, 2018, 2 (1), pp.715-720. ⟨10.1021/acsaem.8b01767⟩.

    مصطلحات موضوعية: [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

    العلاقة: hal-02366910; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02366910Test

    الإتاحة: https://doi.org/10.1021/acsaem.8b01767Test
    https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02366910Test

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