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1دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Zhang, Wei, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), China Aerospace Science and Industry Corporation (CASIC), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), "This work was supported by the Department of Electronics and Electrical Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool L33AF, U.K"
المصدر: ISSN: 2169-3536.
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN based devices, ohmic contact, self-heating, infrared camera, high-resolution X-ray diffraction, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-02273401; https://hal.science/hal-02273401Test; https://hal.science/hal-02273401/documentTest; https://hal.science/hal-02273401/file/Strain-Reduction_Induced_Rise_in_Channel_Temperature_at_Ohmic_Contacts_of_GaN_HEMTs.pdfTest
الإتاحة: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2018.2861323Test
https://hal.science/hal-02273401Test
https://hal.science/hal-02273401/documentTest
https://hal.science/hal-02273401/file/Strain-Reduction_Induced_Rise_in_Channel_Temperature_at_Ohmic_Contacts_of_GaN_HEMTs.pdfTest -
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Ahmeda, Khaled, Kalna, Karol, Boucherta, Mohammed, Mattalah, Maghnia, Chahdi, Hassane Ouazzani, Bourzgui, Nour Eddine, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Morres University - LJMU (UK), Cardiff Metropolitan University, Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université Saad Dahleb (ALGERIE), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-03142223Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩.
مصطلحات موضوعية: HEMTs, MODFETs, Logic gates, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Degradation, Transient analysis, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-03142223; https://hal.science/hal-03142223Test
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3مؤتمر
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Boucherta, Mohammed, Bourzgui, Nour Eddine, Hassan, Maher, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS)
المصدر: 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
https://hal.science/hal-02310028Test
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩مصطلحات موضوعية: Degradation, Transient analysis, HEMTs, MODFETs, Aluminum gallium nitride, Wide band gap semiconductors, Logic gates, [SPI]Engineering Sciences [physics]
جغرافية الموضوع: Spain
الوقت: Madrid, Spain
العلاقة: hal-02310028; https://hal.science/hal-02310028Test
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4مؤتمرA Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AlGaN/GaN Based Devices
المؤلفون: Duffy, Steven, Benbakhti, Brahim, Zhang, Wei, Kalna, Karol, Ahmeda, Khaled, Hassan, Maher, Soltani, Ali
المساهمون: Liverpool John Moores University (LJMU), Swansea University, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
https://hal.science/hal-02310067Test
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgiumمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-02310067; https://hal.science/hal-02310067Test
الإتاحة: https://hal.science/hal-02310067Test
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5دورية أكاديمية
المساهمون: University of Glasgow, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-00473432Test ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (10), pp.2178-2185. ⟨10.1109/TED.2009.2028400⟩.
مصطلحات موضوعية: Gallium nitride, Substrates, Mathematical model, Aluminum gallium nitride, Temperature measurement, Lattices, Equations, [SPI]Engineering Sciences [physics]
العلاقة: hal-00473432; https://hal.science/hal-00473432Test
