المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Ho Yoon, Jung, Jung, Hyung-Suk, Hwan Lee, Min, Hwan Kim, Gun, Ji Song, Seul, Yeong Seok, Jun, Jean Yoon, Kyung, Seong Hwang, Cheol, Besland, M.-P., Tranchant, J., Souchier, E., Moreau, P., Salmon, S., Corraze, B., Janod, E., Cario, L., Zazpe, Raúl, Ungureanu, Mariana, Llopis, Roger, Golmar, Federico, Stoliar, Pablo, Casanova, Félix, Eduardo Hueso, Luis, Hermes, C., Wimmer, M., Menzel, S., Fleck, K., Rana, V., Salinga, M., Böttger, U., Bruchhaus, R., Wuttig, M., Waser, R., Lentz, F., Rösgen, B., Selle, T., Marchewka, Astrid, Menzel, Stephan, Böttger, Ulrich, Waser, Rainer, Hoskins, Brian, Alibart, Fabien, Strukov, Dmitri, Pellegrino, Luca, Manca, Nicola, Kanki, Teruo, Tanaka, Hidekazu, Biasotti, Michele, Bellingeri, Emilio, Sergio Siri, Antonio, Marré, Daniele, M. Padilha, Antonio Claudio, Martini Dalpian, Gustavo, Reily Rocha, Alexandre, Prodromakis, Themistoklis, Salaoru, Iulia, Khiat, Ali, Toumazou, Christopher, Gale, Ella M., Madhavan, A., Adam, G., Alibart, F., Gao, L., Strukov, D. B., Wamwangi, D., Welnic, W., Gholipour, Behrad, Huang, Chung-Che, Anastasopoulos, Alexandros, Al-Saab, Feras, Hayden, Brian E., Hewak, Daniel W., Lan, Rui, Endo, Rie, Kuwahara, Masashi, Kobayashi, Yoshinao, Susa, Masahiro, Baumeister, Paul, Wortmann, Daniel, Blügel, Stefan, Mazzarello, Riccardo, Li, Yan, Zhang, Wei, Ronneberger, Ider, Simon, Ronnie, Gallus, Jens, Bessas, Dimitrios, Sergueev, Ilya, Wille, Hans-Christian, Pierre Hermann, Raphaël, Luckas, Jennifer, Rausch, Pascal, Krebs, Daniel, Zalden, Peter, Boltz, Janika, Raty, Jean-Yves, Salinga, Martin, Longeaud, Christophe, Wuttig, Matthias, Kim, Haeri, Kim, Dong-Wook, Phark, Soo-Hyon, Hong, Seungbum, Park, C., Herpers, A., Verbeeck, J., Egoavil, R., Borgatti, F., Panaccione, G., Offi, F., Dittmann, R., Clima, Sergiu, Sankaran, Kiroubanand, Mees, Maarten, Yin Chen, Yang, Goux, Ludovic, Govoreanu, Bogdan, Wouters, Dirk J., Kittl, Jorge, Jurczak, Malgorzata, Pourtois, Geoffrey, Calka, P., Martinez, E., Delaye, V., Lafond, D., Audoit, G., Mariolle, D., Chevalier, N., Grampeix, H., Cagli, C., Jousseaume, V., Guedj, C., Shrestha, Pragya, Ochia, Adaku, Cheung, Kin. P., Campbell, Jason, Baumgart, Helmut, Harris, Gary, Scherff, Malte, Meyer, Bjoern, Scholz, Julius, Hoffmann, Joerg, Jooss, Christian, Xiao, Bo, Tada, Tomofumi, Gu, Tingkun, Tawara, Arihiro, Watanabe, Satoshi, Young, Tai-Fa, Yang, Ya-Liang, Chang, Ting-Chang, Hsu, Kuang-Ting, Chen, Chao-Yu, Burkert, A, Valov, I., Staikov, G., van den Hurk, Jan, Valov, Ilia, Tappertzhofen, Stefan, van der Hurk, Jan, Hoskins, B., Kim, Gun Hwan, Seok, Jun Yeong, Ho Yoon, Jeong, Yoon, Jung Ho, Yoon, Kyung Jin, Shuai, Yao, Wu, Chuangui, Zhang, Wanli, Zhou, Shengqiang, Bürger, Danilo, Slesazeck, Stefan, Mikolajick, Thomas, Helm, Manfred, Schmidt, Heidemarie, Gale, Ella, Pearson, David, Kitson, Stephen, Adamatzky, Andrew, Costello, Ben de Lacy, Lehtonen, Eero, Poikonen, Jussi, Laiho, Mika, Kanerva, Pentti, Lim, Hyungkwang, Jang, Ho-won, Jeong, Doo Seok, Cao, Xun, Jiang, Meng, Zhang, Feng, Liu, Xinjun, Jin, Ping, Zhang, Kai, Tangirala, Madhavi, Kittiwatanakul, Salinporn, Lu, Jiwei, Wolf, Stuart, Pallem, Venkateswara, Dussarrat, Christian, Pinto, S., Krishna, R., Dias, C., Pimentel, G., Oliveira, G. N. P., Teixeira, J. M., Aguiar, P., Titus, E., Gracio, J., Ventura, J., Araujo, J. P.

المساهمون: Heber, Jörg, Schlom, Darrell, Tokura, Yoshinori, Waser, Rainer, Wuttig, Matthias

العلاقة: Frontiers in Electronic Materials : A Collection of Extended Abstracts of the Nature Conference Frontiers in Electronic Materials, June 17 th to 20 th 2012, Aachen, Germany; https://resolver.sub.uni-goettingen.de/purl?gro-2/95954Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch67Test
https://resolver.sub.uni-goettingen.de/purl?gro-2/95954Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeisser, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona = Autonomous University of Barcelona = Universidad Autónoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Cientificas España = Spanish National Research Council Spain (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.science/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: bipolar resistive switching (BRS), multiferroic BiFeO3, non-volatile memory devices, Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, resistance random access memory (ReRAM), TiO2 films, transtition metal oxide, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.science/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
https://hal.science/hal-01716453Test

المؤلفون: Sawa, Akihito, Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi, Yamada, Hiroyuki, Rodenbücher, Christian, Szot, Krzysztof, Waser, Rainer, Lee, Shin Buhm, Park, Jong-Bong, Lee, Myoung-Jae, Noh, Tae Won, Rozenberg, Marcelo J., Sánchez, María J., Stoliar, Pablo, Weht, Ruben, Acha, Carlos, Gomez-Marlasca, Fernando, Levy, Pablo, Cario, L., Corraze, B., Guiot, V., Salmon, S., Tranchant, J., Besland, M.-P., Ta Phuoc, Vinh, Cren, T., Roditchev, D., Janod, E., Schmeißer, Dieter, Richter, Matthias, Tallarida, Massimo, Long, Shibing, Gagli, Carlo, Cartoixà, Xavier, Rurali, Riccardo, Miranda, Enrique, Jiménez, David, Buckley, Julien, Liu, Ming, Suñé, Jordi

المساهمون: Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Comisión Nacional de Energía Atómica ARGENTINA (CNEA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Spectroscopie des nouveaux états quantiques (INSP-E2), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Théorie, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas Madrid (CSIC)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas Madrid (CSIC), Departomento de Estadistica, Universidad de Oviedo, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CentraleSupélec-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias

المصدر: Frontiers in Electronic Materials ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01716453Test ; Heber, Jörg and Schlom, Darrell and Tokura, Yoshinori and Waser, Rainer and Wuttig, Matthias. Frontiers in Electronic Materials, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp.247--258, 2013, 978-3-527-66770-3 978-3-527-41191-7. ⟨10.1002/9783527667703.ch45⟩

مصطلحات موضوعية: transtition metal oxide, TiO2 films, resistance random access memory (ReRAM), Pt/Nb:SrTiO3 interfaces, non-volatile memory devices, multiferroic BiFeO3, bipolar resistive switching (BRS), [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

العلاقة: hal-01716453; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01716453Test

الإتاحة: https://doi.org/10.1002/9783527667703.ch45Test
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